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SK海力士新工藝 內(nèi)存速度翻倍

　　SK海力士宣布開發(fā)出由1Ynm工藝制造的GDDR5內(nèi)存，據(jù)稱是第一款符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的DDR5內(nèi)存.而最近開發(fā)的1Ynm 8GB DDR4內(nèi)存就是使用的1Ynm工藝。

　　SK海力士成功地將內(nèi)存工作電壓從1.2v降至1.1v，比DDR4內(nèi)存功耗降低了30%。16GB的 DDR5內(nèi)存最高支持5200 Mbps的數(shù)據(jù)傳輸速率，比DDR4內(nèi)存最高的3200Mbps快60%，且每秒可處理41.6GB的數(shù)據(jù)。

　　SK海力士提出了新的協(xié)議，RDIMM和UDIMM。根據(jù)JEDEC DDR5標(biāo)準(zhǔn)，這兩個(gè)協(xié)議可讓存儲(chǔ)體可從原有的16位與32位帶寬翻倍。

　　SK海力士產(chǎn)品副總裁Joohwan Cho說：“基于我們海力士技術(shù)的進(jìn)步，生產(chǎn)出了業(yè)界首款符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的DDR5內(nèi)存，并計(jì)劃從2020年開始大規(guī)模生產(chǎn)該產(chǎn)品。”

　　海力士還公布了其市場(chǎng)部的調(diào)研和預(yù)測(cè)，DDR5的需求預(yù)計(jì)將從2020年開始上升，占2021年內(nèi)存市場(chǎng)總量的25%和2022年的44%。