缺乏廠商支持 VIA正式終止QBM內(nèi)存研
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QBM(Qand Band Rate)本來是一種十分優(yōu)秀的內(nèi)存技術(shù),其利用場效應(yīng)管技術(shù)把DDR內(nèi)存的速度提升一倍,該技術(shù)由Kentron公司設(shè)計(jì)并得到VIA的大力支持。
在今年六月的Computex Taipei 2004大展中,VIA還在展示一臺運(yùn)行QBM的PT880平臺,當(dāng)時(shí)VIA工程師還對QBM的前景感到樂觀。
但時(shí)隔不到半年,VIA威盛電子芯片暨繪圖芯片業(yè)務(wù)處Vice President許偉德生先向HKEPC網(wǎng)站透露,由于QBM缺乏內(nèi)存廠商的支持,加上DDR2的普及,QBM內(nèi)存已沒有多余的生存空間,VIA的芯片組將不會再對QBM內(nèi)存作出支持,并終止了對QBM內(nèi)存的研發(fā)工作。
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