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降50%功耗！美光試制ARM移動設(shè)備內(nèi)存

    泡泡網(wǎng)內(nèi)存頻道4月23日 近期美光開始試制2Gb容量LPDDR2內(nèi)存顆粒樣品，將主要面向ARM架構(gòu)智能手機、智能本等移動設(shè)備。美光表示，預(yù)計2Gb LPDDR2將在今年第三季度實現(xiàn)量產(chǎn)。

    該LPDDR2內(nèi)存工作電壓為1.2V，相比LPDDR1可降低50%功耗，同時數(shù)據(jù)傳輸率達到1066Mbps。支持高級電源管理技術(shù)，可在閑置時關(guān)閉部分存儲區(qū)域的電源。除作為獨立設(shè)備使用外，該2Gb LPDDR2顆粒也可與美光的多芯片封裝（MCP）或堆疊封裝（POP）解決方案的NAND組合使用。通過堆疊四片這樣的2Gb LPDDR2內(nèi)存顆粒，可實現(xiàn)超高密度的8Gb（1GB）移動設(shè)備內(nèi)存解決方案。■