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Intel SSD將用25nm工藝 領(lǐng)先對手一年

    泡泡網(wǎng)硬盤頻道5月19日 Intel與美光的合資企業(yè)Intel-Micron Flash Technologies(IMFT)日前表示，采用25nm新工藝的NAND閃存芯片已經(jīng)開始批量出貨，相信不久后我們就能夠看到采用該顆粒的固態(tài)硬盤、U盤、存儲卡等產(chǎn)品。

    Intel和美光今年2月宣布開始試產(chǎn)25nm工藝閃存，這一制程據(jù)稱比競爭對手至少領(lǐng)先一年。近日首先量產(chǎn)的25nm顆粒為8GB（64Gb）容量MLC NAND閃存，采用沉浸式光刻技術(shù)，核心面積167mm2。支持開放式NAND閃存接口ONFi 2.2，界面速度最高可達200MB/s，頁面(page)尺寸從50/34nm時代的4KB翻番到了8KB，塊(Block)尺寸從128個頁面加倍到256個頁面，讀寫性能預(yù)計將有顯著提升。

    IMFT生產(chǎn)的閃存芯片有49％供給Intel及其客戶、51％供給美光及其客戶。預(yù)計我們將在今年下半年看到Intel采用該顆粒的新品X25-M系列固態(tài)硬盤，美光的RealSSD系列固態(tài)硬盤相信也會在不久后更新?！?BR>