成本更低廉 可取代NAND閃存技術(shù)問世
泡泡網(wǎng)硬盤頻道5月25日 Unity半導(dǎo)體公司不斷致力于新內(nèi)存技術(shù)的開發(fā)，不久前該公司宣布成功開發(fā)一種可取代NAND Flash的新內(nèi)存技術(shù)，相信不久以后，NAND Flash為存儲卡和固態(tài)硬盤唯一解決方案的局面將出現(xiàn)大幅改變。
Unity的目標(biāo)是挑戰(zhàn)業(yè)界最小的芯片尺寸和最低的成本，該公司透過多層儲存陣列結(jié)構(gòu)，和一種名為CMOx的新型關(guān)鍵技術(shù)來實現(xiàn)這項目標(biāo)。CMOx主要是在伴有離子運動的半導(dǎo)體制程中，加入一種導(dǎo)電性金屬氧化物新材料。
該公司所擁有的新一代NVM技術(shù)CMOx，采用CMOx技術(shù)的內(nèi)存產(chǎn)品能擁有高性價比，這使得Unity有能力直取閃存的替代市場大位。目前CMOx主要針對新興市場應(yīng)用，如固態(tài)硬盤、移動上網(wǎng)裝置和智能型手機等。根據(jù)市調(diào)機構(gòu)預(yù)測，到了2012年，這些應(yīng)用市場將有90％以上產(chǎn)品采用嵌入式閃存。
CMOx是新一代NVM技術(shù)，它采用Unity的專利技術(shù)，能在特定的金屬氧化物組合中發(fā)生轉(zhuǎn)換效應(yīng)。Unity在CMOx中使用的轉(zhuǎn)換概念不同于傳統(tǒng)的閃存技術(shù)。CMOx技術(shù)的儲存效應(yīng)來自于離子載流子的運動，由于不需要儲存單元電晶體，CMOx可用于產(chǎn)生被動式交叉點多層儲存陣列。其他的儲存技術(shù)，如相變化內(nèi)存（PCM）和磁性隨機存取內(nèi)存（MRAM）等，每個儲存單元都需要一個電晶體，因此不符合交叉點多層芯片結(jié)構(gòu)的要求。
除了技術(shù)創(chuàng)新，Unity的其他技術(shù)優(yōu)勢，還包括可將前段（FEOL）的CMOS芯片制程與后段（BEOL）的內(nèi)存層制程分離。CMOS芯片不需要新的制程技術(shù)，可在CMOS邏輯產(chǎn)線進(jìn)行生產(chǎn)，以現(xiàn)有的產(chǎn)能，只需擁有90nm的CMOS后段制程即可。根據(jù)市場研究機構(gòu)的預(yù)測，Unity樂觀預(yù)估，到了2010年，該公司的內(nèi)存市場規(guī)模將達(dá)到150億美元左右，2013年則將超過250億美元。■
關(guān)注我們
