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低電壓優(yōu)劣分析 1.35V DDR3-1600測(cè)試

    泡泡網(wǎng)內(nèi)存頻道5月26日 現(xiàn)在新上市的主板基本都已經(jīng)帶有DDR3內(nèi)存插槽，更有不少是只具備DDR3插槽，已經(jīng)可以看到主板廠商對(duì)推進(jìn)DDR3為主流產(chǎn)品所做出的努力，再加上所有新CPU對(duì)DDR2的支持，使得DDR3性能遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于DDR2，也證明了是必然要代替DDR2。眾所周知DDR3最大的特點(diǎn)是有效頻率在DDR2的基礎(chǔ)上再次翻倍，但DDR3并非是片面提升頻率從而得到高帶寬，實(shí)際上DDR3除了高頻率之外，還有很多不為人知的優(yōu)點(diǎn)。

    眾所周知，半導(dǎo)體芯片的功耗與晶體管數(shù)成正比，與工作電壓的平方成正比，所以電壓對(duì)其功耗與發(fā)熱的影響最大。和CPU/GPU的發(fā)展類似，DRAM在提高頻率和容量的同時(shí)，電壓也在不斷的降低。DDR1的標(biāo)準(zhǔn)電壓為2.5V、DDR2下降至1.8V、DDR3則進(jìn)一步壓縮至1.5V。

    理論上來(lái)說(shuō)，同頻率下DDR3會(huì)比DDR2省電達(dá)30%之多，這里需要強(qiáng)調(diào)的是，DDR3-1600的核心頻率與DDR2-800是相同的(都是200MHz)，DDR3的IO頻率雖然翻了一倍但對(duì)功耗發(fā)熱的貢獻(xiàn)不大，此消彼長(zhǎng)之后DDR3-1600比DDR2-800省電23%！

    但是，在DDR3發(fā)展初期，很多內(nèi)存廠商為了片面追求高頻率，推出過(guò)不少高壓高頻內(nèi)存條，默認(rèn)1.8V-2V甚至2.2V的內(nèi)存都有，這些內(nèi)存的功耗與發(fā)熱顯然不會(huì)比DDR2低，這也就導(dǎo)致大家對(duì)DDR3產(chǎn)生不好的印象。

● 使用更先進(jìn)的工藝制造，容量翻倍的同時(shí)功耗再降

    時(shí)代在發(fā)展工藝在進(jìn)步，DDR3作為最新產(chǎn)品自然會(huì)使用非常先進(jìn)的工藝制程，與早期6Xnm工藝的顆粒相比，新投產(chǎn)的5Xnm可以將DRAM顆粒的功耗再降33%，還不到DDR2的一半！

    現(xiàn)在眾多筆記本品牌都開(kāi)始標(biāo)配DDR3內(nèi)存，筆記本領(lǐng)先臺(tái)式機(jī)開(kāi)始普及DDR3，雖然筆記本CPU尚無(wú)法利用到DDR3內(nèi)存的巨大帶寬，但超低的功耗是非常誘人的，一些專為筆記本設(shè)計(jì)的內(nèi)存將電壓進(jìn)一步降至1.35V，功耗僅為DDR2的37%，確實(shí)不可思議。

    根據(jù)JEDEC的規(guī)范標(biāo)準(zhǔn)，通過(guò)提升硅晶圓芯片制造工藝而降低核心IO電壓以提升性能的DDR3內(nèi)存模組，會(huì)推出稱作為DDR3L的低電壓版本內(nèi)存規(guī)范，新標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定電壓為1.35V，比較當(dāng)前的1.5V標(biāo)準(zhǔn)還要低，這將會(huì)在絕大多數(shù)主流產(chǎn)品中節(jié)能20%。更低的電壓意味著工藝更加成熟、功耗更低，甚至超頻性能也會(huì)比普通內(nèi)存要更加出色。

1.35V DDR3內(nèi)存

    新低電壓內(nèi)存將會(huì)和當(dāng)前現(xiàn)存的1.5V版本DDR3內(nèi)存相互兼容，但前者并不會(huì)受到原有規(guī)范的制約，所有基于JEDEC規(guī)范的DDR3內(nèi)存模組都會(huì)配備SPD（serial presence detect）芯片，該芯片EEPROM存儲(chǔ)于SMbus之上，其中包括內(nèi)存模組將提供給系統(tǒng)的容量以及模組特征信息，包括電壓，因此系統(tǒng)就能夠借此固件信息兼容支持最新的DDR3L內(nèi)存模組。同時(shí)模內(nèi)標(biāo)簽也做了相應(yīng)變動(dòng)：面向普通PC的常規(guī)產(chǎn)品是“PC3L”，面向嵌入式產(chǎn)品的則是“EP3L”。

    來(lái)自AMD公司的JC-42.3內(nèi)存發(fā)展委員會(huì)主席Joe Macri表示，全新的低電壓內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)和整個(gè)業(yè)界有關(guān)于低功耗節(jié)能設(shè)計(jì)準(zhǔn)則相吻合，為內(nèi)存技術(shù)推進(jìn)發(fā)展委員會(huì)還會(huì)繼續(xù)就此方面進(jìn)行論證和研究，未來(lái)不排除推出1.25V甚至更低電壓的內(nèi)存產(chǎn)品，而電腦系統(tǒng)的研發(fā)人員也會(huì)就此考慮采用更低能耗設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)的產(chǎn)品。

    低電壓內(nèi)存也更符合我們環(huán)保的概念，使用低電壓內(nèi)存后整機(jī)的功耗都會(huì)降低。下面是國(guó)外某網(wǎng)站用1.5V DDR3內(nèi)存與1.3V DDR3內(nèi)存做的功耗對(duì)比測(cè)試。

    這兩組成績(jī)，表示的是在輕負(fù)載和重負(fù)載這兩種環(huán)境下，普通1.5V內(nèi)存和1.35V低電壓內(nèi)存的對(duì)比，從數(shù)據(jù)來(lái)看，低電壓內(nèi)存比普通內(nèi)存要低處2W-3W 左右。

    不久前金士頓發(fā)布了最新綠色低電壓版本的HYperX內(nèi)存模組產(chǎn)品，定義為全新的LoVo（low voltage）系列，工作電壓1.25V到1.35V，低于DEC標(biāo)準(zhǔn)1.5V，也低于英特爾限定的1.65V。近期泡泡網(wǎng)就收到這款金士頓4GB DDR3 1600 1.35V內(nèi)存套裝，下面我們一起來(lái)看看此款產(chǎn)品。

    金士頓低電壓版HYperX內(nèi)存外包裝并沒(méi)有大的變化，不過(guò)臺(tái)灣發(fā)售的低電壓版HYperX內(nèi)存外包裝以及重新設(shè)計(jì)過(guò)(臺(tái)灣版LoVo系列HyperX DDR3）。

    為了配合低電壓、綠色環(huán)保的特點(diǎn)，金士頓LoVo（low voltage）系列內(nèi)存一改以往金士頓HYperX系列的藍(lán)色散熱片，改用以綠色為主的散熱片，進(jìn)一步貼近了綠色環(huán)保的主題。

    金士頓此款內(nèi)存編號(hào)為KHX1600C9D3LK2/4GX，其規(guī)格為雙通道2GB*2 DDR3 1600MHz，電壓值為1.35V，同時(shí)內(nèi)存時(shí)序?yàn)?-9-9-27。消費(fèi)者可以登錄金士頓官方網(wǎng)站進(jìn)行真?zhèn)尾樵?，提供終身質(zhì)保等售后服務(wù)。

    為了測(cè)試金士頓低電壓版DDR3 1600MHz性能，筆者選用Intel i7 750 CPU，針對(duì)其低壓性能，我們將不做任何調(diào)整完全在默認(rèn)值下完成。

● 測(cè)試軟件

    EVEREST Ultimate Edition：專項(xiàng)測(cè)試軟件，對(duì)內(nèi)存性能有比較詳細(xì)的測(cè)試。這里我們?nèi)〉氖莾?nèi)存的讀性能測(cè)試和寫性能測(cè)試。

金士頓4GB DDR3 1600 1.35V內(nèi)存詳細(xì)信息

    PCMark Vantage：它是可以衡量各種類型PC的綜合性能。從多媒體家庭娛樂(lè)系統(tǒng)到筆記本，從專業(yè)工作站到高端游戲平臺(tái)，無(wú)論是在專業(yè)人士手中，還是屬于普通用戶，都能在PCMark Vantage里了解透徹，從而發(fā)揮最大性能，它是一款最貼近應(yīng)用的測(cè)試項(xiàng)目。

    在大家常見(jiàn)的Everest Ultimate Edition測(cè)試中，我們通過(guò)內(nèi)存復(fù)制和內(nèi)存潛伏的測(cè)試，非常明確的看到金士頓4GB DDR3 1600 1.35V內(nèi)存Read達(dá)到14404MB/S、Wirte 11586MB/S、最后的Copy高達(dá)15804MB/S。這樣高的性能在同類產(chǎn)品中非常出色，一般DDR3 1600帶寬都只能在10000MB/S左右。

金士頓4GB DDR3 1600

某超頻至1800MHZ DDR3性能測(cè)試（點(diǎn)擊可以放大）

     在PCMark Vantage測(cè)試中，金士頓4GB DDR3 1600內(nèi)存子項(xiàng)總分為6790。而某款DDR3內(nèi)存超至1800MHZ后，性能也只到4805分。證明金士頓4GB DDR3 1600 1.35V內(nèi)存體質(zhì)非常好，在9-9-9-24的時(shí)序下能發(fā)揮出驚人的性能，讓整個(gè)平臺(tái)性能提升不少。

    金士頓LoVo系列DDR3 1600內(nèi)存既然敢保證在低于標(biāo)準(zhǔn)電壓時(shí)，內(nèi)存仍能穩(wěn)定工作，就代表低電壓內(nèi)存擁有更高的品質(zhì)，出廠時(shí)內(nèi)存電壓越高就代表內(nèi)存品質(zhì)并不好，需要較高的電壓才能保證穩(wěn)定，這也是低電壓內(nèi)存的優(yōu)點(diǎn)之一。

    不過(guò)低電壓DDR3內(nèi)存很多為了保證穩(wěn)定的運(yùn)行，超頻能力有限，筆者也不推崇購(gòu)買低電壓內(nèi)存去超頻使用。這樣就違背了低耗、低熱量、環(huán)保的宗旨。

    其次金士頓低電壓內(nèi)存也更符合我們環(huán)保的概念，使用低電壓內(nèi)存后整機(jī)的功耗都會(huì)降低，卻又不失出色的性能。雖然個(gè)人使用節(jié)能的效果有限，但使用者達(dá)到一定數(shù)量以后，積少成多也是非?？捎^的?，F(xiàn)在都崇尚過(guò)低碳生活，所以筆者建議大家都買低電壓版內(nèi)存，為我們的地球盡一份力?！?/P>

金士頓(Kingston) 駭客神條4G DDR3 1600低電壓套裝(KHX1600C9D3LK2/4GX)
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