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代替DRAM 惠普/海力士開發(fā)電阻式內(nèi)存

    泡泡網(wǎng)內(nèi)存頻道9月6日 近期惠普與海力士達(dá)成一項(xiàng)協(xié)議，根據(jù)協(xié)議兩公司將共同研究下一代的內(nèi)存產(chǎn)品。

    惠普在實(shí)驗(yàn)室里證明了憶阻器（memristor）的存在，現(xiàn)在兩家公司計(jì)劃利用憶阻器來開發(fā)電阻式內(nèi)存（ReRAM），憶阻器相比現(xiàn)有的固態(tài)存儲技術(shù)能耗更低，速度更快，而且能在斷電時(shí)存儲數(shù)據(jù)，如果研制成功的話將會可能代替現(xiàn)有的DRAM和Flash芯片。■