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英特爾QLC 3D NAND固態(tài)硬盤生產(chǎn)量突破1000萬塊

　　引自techpowerup的消息。英特爾QLC 3D NAND固態(tài)硬盤的生產(chǎn)量目前已突破1000萬塊。這種產(chǎn)品于2018年底開始生產(chǎn)，這一里程碑的生產(chǎn)量已讓四級(jí)單元存儲(chǔ)器(QLC)逐漸成為了大容量固態(tài)硬盤的主流技術(shù)。

　　英特爾SSD戰(zhàn)略規(guī)劃和產(chǎn)品營銷總監(jiān)Dave Lundell表示：“許多公司都在談?wù)換LC技術(shù)，但英特爾已經(jīng)大規(guī)模制造了它。我們看到了對(duì)獨(dú)立QLC固態(tài)硬盤(Intel固態(tài)硬盤660p)的性價(jià)比以及Intel Optane Technology+QLC解決方案(Intel Optane Memory H10)性能的強(qiáng)勁需求?！?/p>

　　以下是一些與這一成就相關(guān)的事實(shí):

　　Intel QLC 3D NAND用于Intel固態(tài)硬盤660p、Intel固態(tài)硬盤665p和Intel Optane Memory H10。

　　Intel的QLC驅(qū)動(dòng)器每個(gè)單元有4位，并以64層和96層NAND配置存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。

　　英特爾過去十年一直在開發(fā)這項(xiàng)技術(shù)。2016年，英特爾工程師將已經(jīng)被證實(shí)的浮柵(FG)技術(shù)方向改為垂直方向，并將其集成在GAA架構(gòu)當(dāng)中。三級(jí)單元存儲(chǔ)器(TLC)技術(shù)可以存儲(chǔ)384 Gb/die。在2018年，3D QLC閃存成為現(xiàn)實(shí)，它具有64層，每個(gè)單元具有4位，能夠存儲(chǔ)1024 Gb/die。在2019年，英特爾升級(jí)到96層，這樣在存儲(chǔ)芯片面積不變的情況下，能夠集成更多的存儲(chǔ)單元。

　　QLC現(xiàn)在是英特爾整體存儲(chǔ)產(chǎn)品組合的一部分，該產(chǎn)品組合包括客戶端和數(shù)據(jù)中心產(chǎn)品。