三星引領(lǐng)消費(fèi)內(nèi)存走向30nm工藝時(shí)代
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泡泡網(wǎng)內(nèi)存頻道6月10日 在前段時(shí)間我們報(bào)道了三星正在將最新的30nm內(nèi)存工藝應(yīng)用于服務(wù)器市場，提供單條達(dá)32GB容量的DDR3內(nèi)存。而今天三星正式宣布將這一最新的工藝引入到消費(fèi)級(jí)市場。
30nm DDR3 DRAM
而這些產(chǎn)品包括面向桌面的低端(VLP) UDIMM和面向筆記本的SO-DIMM內(nèi)存。而內(nèi)存容量包括2GB和4GB版本（4GB和8GB套裝），工作頻率可以達(dá)到1600MHz。售價(jià)在30美元到100美元之間。
總體來說由于是新的工藝，技術(shù)可能不是很成熟，先從低端試點(diǎn)，等技術(shù)成熟后，相信超越DDR3 2000也指日可待，另外新的工藝，功耗也會(huì)減低不少?！?/P>
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