爾必達(dá)首次將HKMG技術(shù)引入內(nèi)存顆粒
泡泡網(wǎng)內(nèi)存頻道6月17日 日前內(nèi)存芯片廠商爾必達(dá)（Elpida）正式宣布，他們將為40nm的DRAM制程引入HKMG（High-K Metal Gate）技術(shù)，用于開(kāi)發(fā)2Gb的LPDDR2移動(dòng)平臺(tái)內(nèi)存顆粒。
HKMG技術(shù)最早出現(xiàn)在Intel的45nm制程上，在65nm時(shí)代，漏電一直是降低處理器良品率、阻礙性能提升和減少功耗的重要因素。而隨著處理器采用了45nm工藝，相應(yīng)的核心面積會(huì)減少，導(dǎo)致單位面積的能量密度大幅增高，漏電問(wèn)題將更加凸顯，如果不很好解決，功耗反而會(huì)隨之增大。而傳統(tǒng)的二氧化硅柵極介電質(zhì)的工藝已遇到瓶頸，無(wú)法滿(mǎn)足45nm處理器的要求，因此為了能夠很好的解決漏電問(wèn)題，Intel采用了鉿基High-K(高K)柵電介質(zhì)+Metal Gate(金屬柵)電極疊層技術(shù)。
相比傳統(tǒng)工藝，HKMG技術(shù)工藝可使漏電減少10倍之多，使功耗也能得到很好的控制。而且，如果在相同功耗下，理論上性能可提升20％左右。正是得益于這種新技術(shù)，Intel的45nm工藝在令晶體管密度提升近2倍，增加處理器的晶體管總數(shù)或縮小處理器體積的同時(shí)，還能提供更高的性能和更低的功耗，使產(chǎn)品更具競(jìng)爭(zhēng)力。
此外，我們要知道HKMG技術(shù)，相比以往的氮氧化合物/多晶硅柵堆疊技術(shù)成本會(huì)有所增加，而Intel為了保持工藝技術(shù)上的領(lǐng)先，不惜高成本采用了HKMG技術(shù)，我們也可以看出Intel對(duì)45nm處理器能否取得成功相當(dāng)重視。而由于High-k閘極電介質(zhì)和現(xiàn)有硅閘極并不兼容，Intel全新45nm晶體管設(shè)計(jì)也必須開(kāi)發(fā)新金屬閘極材料，目前新金屬的細(xì)節(jié)仍屬商業(yè)機(jī)密，Intel現(xiàn)階段尚未說(shuō)明其金屬材料的組合。
而現(xiàn)在GlobalFoundries、TSMC等廠商也將HKMG技術(shù)引入并應(yīng)用在各自的產(chǎn)品上。不過(guò)由于HKMG形成后熱處理溫度高較高，加上DRAM內(nèi)存芯片結(jié)構(gòu)的限制，因此該技術(shù)一直無(wú)法引入至DRAM芯片的制程當(dāng)中。在經(jīng)過(guò)爾必達(dá)研究團(tuán)隊(duì)的努力后，他們成功降低了HKMG的熱處理溫度，并克服了DRAM芯片結(jié)構(gòu)限制的難題，最終成為業(yè)界首家將HKMG技術(shù)引入DRAM芯片的廠商。據(jù)爾必達(dá)表示，新技術(shù)的引入將令產(chǎn)品的性能有較大提升，同時(shí)待機(jī)功耗亦得以大幅下降?！?/P>
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