金泰克超頻DDR5 SODIMM 內(nèi)存強(qiáng)勢登場，可穩(wěn)定超頻至6400MT/s
金泰克在存儲(chǔ)領(lǐng)域不斷追求創(chuàng)新和突破，致力于提高產(chǎn)品性能、效能和用戶體驗(yàn)。9月6日，金泰克新品超頻DDR5 SODIMM內(nèi)存正式發(fā)布上市，該內(nèi)存基頻為5600MT/s，容量為16GB，并支持Intel XMP3.0，可一鍵超頻至6400MT/s，充分釋放內(nèi)存出色性能。
該款內(nèi)存采用小巧的SODIMM規(guī)格，尺寸僅為69.6x30x1.2mm，主要應(yīng)用于高端游戲本，同時(shí)也適用普通筆記本、一體機(jī)、迷你主機(jī)等，可廣泛應(yīng)用于5G、大數(shù)據(jù)等對(duì)性能極為重視的行業(yè)領(lǐng)域。
據(jù)了解，日前聯(lián)想“拯救者Y9000K 2023”旗艦游戲本在海外市場重磅發(fā)布，專為圖形工作需求繁重的游戲玩家和創(chuàng)作者設(shè)計(jì)，重新定義了游戲筆記本電腦的奢華標(biāo)準(zhǔn)，金泰克該款新品內(nèi)存條正是其核心配置之一。
該款內(nèi)存是業(yè)內(nèi)第 一個(gè)通過聯(lián)想認(rèn)證的DDR5 OC（超頻）產(chǎn)品，并通過Memtest、3DMark、Burnin等聯(lián)想嚴(yán)格的性能測試和可靠性測試、環(huán)保（RoHS、REACH和EMC等）相關(guān)認(rèn)證測試。
全新架構(gòu) 高能體驗(yàn)
新一代DDR5內(nèi)存，全新內(nèi)置雙通道架構(gòu)設(shè)計(jì)，精選高品質(zhì)超頻顆粒，低延遲、高速度，顯著提升電腦整體性能，可支持多任務(wù)同時(shí)運(yùn)行。其快速的加載、傳輸、下載能力，能輕松應(yīng)對(duì)各種游戲、辦公、視頻剪輯、設(shè)計(jì)渲染等需求。支持Intel XMP3.0一鍵超頻技術(shù)，超頻至6400MT/s時(shí)，內(nèi)存讀取速度為98955 MB/s，寫入速度為82176MB/s,復(fù)制速度為87005 MB/s，釋放新一代DDR5強(qiáng)大性能，盡享高能疾速體驗(yàn)。
性能測試數(shù)據(jù)圖
高頻低耗 續(xù)航強(qiáng)勁
全新PMIC電源架構(gòu)，將電源集成于內(nèi)存模組，通過協(xié)議配置，調(diào)節(jié)電壓、電源紋波、上下電時(shí)序，降低功耗增強(qiáng)設(shè)備續(xù)航力，有助于保持信號(hào)完整性和兼容性，提升持續(xù)高強(qiáng)度工作的穩(wěn)定性與流暢性。
自帶ECC糾錯(cuò) 運(yùn)行更穩(wěn)定
金泰克DDR5 SODIMM在On-Die ECC片內(nèi)糾錯(cuò)功能的加持下，能有效檢查和糾正內(nèi)存單元中的數(shù)據(jù)錯(cuò)誤，確保內(nèi)存運(yùn)行的穩(wěn)定性和可靠性，為用戶提供卓越性能表現(xiàn)和良好使用體驗(yàn)。
自研高速PCB板 海量數(shù)據(jù)秒傳輸
為充分發(fā)揮產(chǎn)品性能，金泰克采用自主研發(fā)的高速PCB板來適配DDR5高頻顆粒，以提升電氣性能及信號(hào)完整性。通過表面化金工藝，確保產(chǎn)品具備優(yōu)良的抗氧化性和抗干擾性，為內(nèi)存提供更高速且穩(wěn)定的數(shù)據(jù)傳輸處理能力。
金泰克憑借強(qiáng)大的創(chuàng)新能力和技術(shù)實(shí)力，相繼推出多款DDR5先鋒產(chǎn)品，金泰克超頻DDR5 SODIMM的成功發(fā)布進(jìn)一步完備了其DDR5產(chǎn)品矩陣，全力推動(dòng)高端化存儲(chǔ)發(fā)展。
面對(duì)日新月異的數(shù)字化時(shí)代，唯有主動(dòng)擁抱變革和挑戰(zhàn)，深耕專業(yè)領(lǐng)域，堅(jiān)持技術(shù)創(chuàng)新，方能行穩(wěn)致遠(yuǎn)。這也是金泰克所孜孜追尋的。
* 文章中測試數(shù)據(jù)來源于金泰克實(shí)驗(yàn)室，實(shí)際使用因設(shè)備等因素而不同。
關(guān)注我們
