特爾持續(xù)推進(jìn)核心制程和先進(jìn)封裝技術(shù)創(chuàng)新，分享最新進(jìn)展
近日，在2025英特爾代工大會(huì)上，英特爾展示了多代核心制程和先進(jìn)封裝技術(shù)的最新進(jìn)展，這些突破不僅體現(xiàn)了英特爾在技術(shù)開發(fā)領(lǐng)域的持續(xù)創(chuàng)新，也面向客戶需求提供了更高效、更靈活的解決方案。
在制程技術(shù)方面，英特爾代工已取得重要里程碑。例如，Intel 18A制程節(jié)點(diǎn)已進(jìn)入風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn)階段，并計(jì)劃于今年內(nèi)實(shí)現(xiàn)正式量產(chǎn)。這一節(jié)點(diǎn)采用了PowerVia背面供電技術(shù)和RibbonFET全環(huán)繞柵極晶體管。英特爾代工的生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴為Intel 18A提供了EDA支持，參考流程和知識產(chǎn)權(quán)許可，讓客戶可以基于該節(jié)點(diǎn)開始產(chǎn)品設(shè)計(jì)。
Intel 18A制程節(jié)點(diǎn)的演進(jìn)版本Intel 18A-P，將為更大范圍的代工客戶帶來更卓越的性能。Intel 18A-P的早期試驗(yàn)晶圓（early wafers）目前已經(jīng)開始生產(chǎn)。由于Intel 18A-P與Intel 18A的設(shè)計(jì)規(guī)則兼容，IP和EDA合作伙伴已經(jīng)開始為該演進(jìn)節(jié)點(diǎn)提供相應(yīng)的支持。Intel 18A-PT是在Intel 18A-P的性能和能效進(jìn)步基礎(chǔ)上推出的另一種Intel 18A演進(jìn)版本。Intel 18A-PT可通過Foveros Direct 3D先進(jìn)封裝技術(shù)與頂層芯片連接，混合鍵合互連間距小于5微米。
英特爾還在積極開發(fā)下一代制程節(jié)點(diǎn)Intel 14A，已與主要客戶展開合作，發(fā)送了Intel 14A PDK（制程工藝設(shè)計(jì)工具包）的早期版本。這些客戶已經(jīng)表示有意基于該節(jié)點(diǎn)制造測試芯片。相對于Intel 18A所采用的PowerVia背面供電技術(shù)，Intel 14A將采用PowerDirect直接觸點(diǎn)供電技術(shù)，進(jìn)一步優(yōu)化了功耗和性能。
同時(shí)，在成熟制程方面，英特爾代工流片的首批基于16納米制程的產(chǎn)品已經(jīng)進(jìn)入晶圓廠生產(chǎn)，也正在與主要客戶洽談與UMC合作開發(fā)的12納米節(jié)點(diǎn)及其演進(jìn)版本。
在先進(jìn)封裝領(lǐng)域，英特爾推出了包括Foveros Direct（3D堆疊）和EMIB（2.5D橋接）在內(nèi)的多種技術(shù)解決方案。英特爾還將向客戶提供新的先進(jìn)封裝技術(shù)，包括面向未來高帶寬內(nèi)存需求的EMIB-T；在Foveros 3D先進(jìn)封裝技術(shù)方面，F(xiàn)overos-R和Foveros-B也將為客戶提供更多高效靈活的選擇。
目前，英特爾亞利桑那州的Fab 52工廠已成功完成Intel 18A的流片（run the lot），標(biāo)志著該廠首批晶圓（wafer）順利試產(chǎn)成功，展現(xiàn)了英特爾在先進(jìn)制程制造方面的進(jìn)展。隨著俄勒岡州晶圓廠即將率先實(shí)現(xiàn)Intel 18A的大規(guī)模量產(chǎn)，英特爾正穩(wěn)步推進(jìn)其制程技術(shù)的商業(yè)化進(jìn)程。
英特爾憑借其以工程至上為核心的文化，領(lǐng)先的制程技術(shù)和先進(jìn)封裝能力，正在不斷突破技術(shù)邊界，為客戶提供高性能、低功耗的解決方案。這些技術(shù)創(chuàng)新不僅強(qiáng)化了英特爾在半導(dǎo)體行業(yè)的競爭力，也為全球科技產(chǎn)業(yè)的發(fā)展注入了新的動(dòng)力。未來，英特爾將繼續(xù)引領(lǐng)技術(shù)潮流，為客戶和合作伙伴創(chuàng)造更多價(jià)值。
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