英韌科技與三星電子公布PCIe 6.0固態(tài)硬盤路線圖，AI存儲(chǔ)競(jìng)爭(zhēng)邁向新階段
在近日舉行的第四屆GMIF 2025創(chuàng)新峰會(huì)上，英韌科技與三星電子分別公布了在下一代存儲(chǔ)技術(shù)上的路線圖，其中都提及了下一代PCIe 6.0固態(tài)硬盤的規(guī)劃，這意味著2026年有望成為相關(guān)產(chǎn)品發(fā)展的關(guān)鍵年份，以滿足日益增長(zhǎng)的AI計(jì)算需求。
英韌科技預(yù)計(jì)于2026年推出新一代PCIe 6.0 AI SSD系列。該系列固態(tài)硬盤將在存儲(chǔ)介質(zhì)、系統(tǒng)架構(gòu)與互聯(lián)技術(shù)三大核心要素上實(shí)現(xiàn)突破，支持NVMe與CXL雙協(xié)議。其目標(biāo)性能十分亮眼，力求實(shí)現(xiàn)512B粒度隨機(jī)讀取達(dá)到25M (25000K) IOPS的超高性能，并深度優(yōu)化以適應(yīng)多元AI生態(tài)。英韌科技創(chuàng)始人吳子寧進(jìn)一步指出，為適應(yīng)新一代AI場(chǎng)景，未來SSD將采用GPU直接調(diào)度方式，構(gòu)建新型存算架構(gòu)，最終目標(biāo)是將性能推升至100M IOPS。
與此同時(shí)，三星電子也展示了其強(qiáng)大的技術(shù)布局。三星確認(rèn)將于2026年初推出型號(hào)為PM1763的PCIe 6.0固態(tài)硬盤。這款產(chǎn)品同樣注重能效表現(xiàn)，在25W功耗下可實(shí)現(xiàn)性能翻倍，能效提升60%。在容量方面，三星計(jì)劃在明后兩年推出256TB級(jí)（PCIe 5.0）和512TB級(jí)（PCIe 6.0）的EDSFF 1T外形規(guī)格型號(hào)，以實(shí)現(xiàn)超高容量突破。此外，三星正積極研發(fā)被視為內(nèi)存級(jí)存儲(chǔ)核心載體的第七代Z-NAND技術(shù)，該技術(shù)面向GIDS（GPU主動(dòng)直接存儲(chǔ)）應(yīng)用場(chǎng)景，旨在實(shí)現(xiàn)遠(yuǎn)超行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的吞吐量表現(xiàn)，進(jìn)一步降低AI推理場(chǎng)景的延遲。
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