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爾必達(dá)25nm制程DDR3內(nèi)存顆粒開始出貨

    泡泡網(wǎng)內(nèi)存頻道8月2日 日本著名半導(dǎo)體廠商爾必達(dá)（Elpida）于8月1日開始出貨世界首個采用25nm工藝制造的內(nèi)存顆粒EDJ2104BFSE（2Gbit DDR3 SDRAM，位寬4bit）和EDJ2108BFSE（同為2Gbit DDR3 SDRAM，位寬8bit）。

    爾必達(dá)在5月底即開發(fā)完成25nm制造工藝，使用此工藝制造的內(nèi)存顆粒芯片面積目前世界最小。比起30nm工藝制造的產(chǎn)品正常運行功耗降低15%，待機(jī)時降低約20%。傳輸速度可達(dá)1866Mbps以上，創(chuàng)造了業(yè)界最高紀(jì)錄。

    該內(nèi)存顆粒的正常工作電壓為1.5V，也有1.35V的低電壓版本?？稍?-95攝氏度范圍內(nèi)正常工作。新產(chǎn)品主要用于制造面向PC以及數(shù)據(jù)中心中服務(wù)器使用的內(nèi)存，面向游戲主機(jī)，超薄筆記本電腦，智能手機(jī)及平板電腦的25nm制程產(chǎn)品也在順次開發(fā)中?！?/P>