更省電！ 三星宣布量產(chǎn)20nm DRAM顆粒
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泡泡網(wǎng)內(nèi)存頻道5月22日 全球最大存儲(chǔ)制造商三星近日正式宣布開始量產(chǎn)20nm內(nèi)存顆粒，單顆容量全面進(jìn)入4Gb時(shí)代，主流智能手機(jī)只需配備2顆就可以實(shí)現(xiàn)1GB的內(nèi)存容量。
目前三星內(nèi)存產(chǎn)品線主要集中在30nm工藝，使用20nm工藝后，將可以為移動(dòng)計(jì)算推出更加薄和更低功耗的內(nèi)存顆粒，而四層2GB的內(nèi)存顆粒厚度也只有0.8mm，相比30nm產(chǎn)品薄了約20%。
另外使用20nm工藝后，單位面積上的硅片可以獲得更多的芯片，這也導(dǎo)致芯片成本的直接下降，消費(fèi)市場(chǎng)將會(huì)直接獲利?！?/P>
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