內(nèi)存頻率達(dá)3000MHz 近期存儲消息匯總
泡泡網(wǎng)內(nèi)存頻道5月23日 眾所周知，近一兩年是硬盤發(fā)展速度最快的時期，尤其在硬盤容量方面更是突飛猛進(jìn)，近兩個月來，又出現(xiàn)了數(shù)款新硬盤與內(nèi)存，大家不妨一起來看看。
JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會近日正式發(fā)布了新一代低功耗內(nèi)存技術(shù)LPDDR3的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范，可滿足當(dāng)今和未來移動設(shè)備的高性能、高密度內(nèi)存需求，比如智能手機(jī)、平板機(jī)、超輕薄筆記本、迷你聯(lián)網(wǎng)設(shè)備等等。
LPDDR3內(nèi)存顆粒
相比于現(xiàn)在普遍使用的LPDDR2，LPDDR3帶來了更高的數(shù)據(jù)傳輸率、帶寬、能效、存儲密度，比如數(shù)據(jù)率達(dá)到1600Mbps，比前輩的1066Mbps增加了整整一半。
LPDDR3也一樣支持PoP堆疊封裝和獨立封裝，以滿足不同類型移動設(shè)備的需要。LPDDR2的能效特性和信號界面都也得以延續(xù)。
除此之外，LPDDR3重點加入了三項新技術(shù)：
- Write-Leveling and CA Training(寫入均衡與指令地址調(diào)馴)：可讓內(nèi)存控制器補(bǔ)償信號偏差，確保內(nèi)存運(yùn)行于業(yè)內(nèi)最快輸入總線速度的同時，維持?jǐn)?shù)據(jù)輸入設(shè)定、指令與地址輸入時序均滿足需求。
- On Die Termination(片內(nèi)終結(jié)器/ODT)：可選技術(shù)，為LPDDR3數(shù)據(jù)平面增加一個輕量級終結(jié)器，改進(jìn)高速信號傳輸，并盡可能降低對功耗、系統(tǒng)操作和針腳計數(shù)的影響。
- 低I/O電容
LPDDR3標(biāo)準(zhǔn)由JEDEC JC-42.6低功耗內(nèi)存委員會制定。
文章來源：mydrivers
雖然有玩家曾經(jīng)把DDR3內(nèi)存超頻到恐怖的3736MHz，但那畢竟是發(fā)燒友的試驗，真正的DDR3內(nèi)存產(chǎn)品遠(yuǎn)遠(yuǎn)做不到那么高，不過今天，Team Group還是實現(xiàn)了一個新的突破，發(fā)布了全球先進(jìn)款默認(rèn)頻率即高達(dá)3000MHz的DDR3 DIMM內(nèi)存條。
這種內(nèi)存被定名為“Xtreem DDR3 2800 CL11”，直接標(biāo)明了它的高規(guī)格。它采用了來自DRAM大廠精心挑選的顆粒，八層PCB設(shè)計，并經(jīng)過了最嚴(yán)格的測試和認(rèn)證過程，符合Intel XMP V1.3標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范，能夠穩(wěn)定工作在3000MHz頻率下，數(shù)據(jù)傳輸帶寬24Gbps(PC3-24000)，時序CL11-13-13-35，但運(yùn)行電壓沒有公布。
該內(nèi)存的DRAM顆粒規(guī)格為256×8，單條容量4GB，以雙通道形式推出。
Team Group表示，該內(nèi)存尤其適合搭配Ivy Bridge處理器、Z77芯片組，兼容性也是最好的。
價格方面沒有公布，但估計至少也得300美元。
文章來源：mydrivers
臺灣著名存儲廠商威剛針對最新的Ivy Bridge平臺發(fā)布了旗下新的XPG Xtreme DDR3內(nèi)存，產(chǎn)品默認(rèn)頻率高達(dá)2133MHz，提供8GB和16GB雙通道套裝。
威剛新款XPG Xtreme DDR3 DDR3-2133X內(nèi)存主要面向發(fā)燒用戶，產(chǎn)品默認(rèn)頻率為2133MHz，內(nèi)存時序為10-11-11-30，內(nèi)存電壓為1.65V，可以提供34.1GB/s的內(nèi)存帶寬。
威剛XPG Xtreme DDR3 DDR3-2133X支持Intel最新的XMP(Extreme Memory Profiles) 1.3規(guī)范，產(chǎn)品全面支持Intel最新的Z77、Z75芯片組主板。
目前威剛XPG Xtreme DDR3 DDR3-2133X已經(jīng)正式上市，提供4GB*2和8GB*2兩種組合，售價分別為89.99美元和189.99美元。
文章來源：techpowerup
全球最大存儲制造商三星近日正式宣布開始量產(chǎn)20nm內(nèi)存顆粒，單顆容量全面進(jìn)入4Gb時代，主流智能手機(jī)只需配備2顆就可以實現(xiàn)1GB的內(nèi)存容量。
目前三星內(nèi)存產(chǎn)品線主要集中在30nm工藝，使用20nm工藝后，將可以為移動計算推出更加薄和更低功耗的內(nèi)存顆粒，而四層2GB的內(nèi)存顆粒厚度也只有0.8mm，相比30nm產(chǎn)品薄了約20%。
另外使用20nm工藝后，單位面積上的硅片可以獲得更多的芯片，這也導(dǎo)致芯片成本的直接下降，消費(fèi)市場將會直接獲利。
文章來源了：softpedia
繼三星和海力士分別公布旗下最新的DDR4內(nèi)存后，今天著名存儲廠商鎂光也拿出了自家首款DDR4內(nèi)存模組，產(chǎn)品起跳速率為DDR4 2400MHz。
DDR4內(nèi)存模組新添加的功能和規(guī)范使得非常適合企業(yè)和服務(wù)器市場，另外在不斷加速的移動計算市場，DDR4更低的電壓設(shè)計可以為移動設(shè)備提供更高的性能和更低的功耗。
鎂光DDR4基于鎂光和南亞共同研發(fā)的30nm DRAM，容量為4Gb，可以提供RDIMM、 LRDIMM、3DS、 SODIMM和UDIMM（標(biāo)準(zhǔn)和ECC）等多種規(guī)格，產(chǎn)品起跳速度為DDR4 2400MHz，并支持JDEC組織制定的DDR4 3200MHz。
目前DDR4內(nèi)存模組的開發(fā)規(guī)范已經(jīng)確定，在今年年初鎂光就已經(jīng)開始向合作伙伴提供樣品，預(yù)計今年四季度將會進(jìn)入大規(guī)模量產(chǎn)，以迎接2013年的應(yīng)用需求。
文章來源：techpowerup
早在Ivy Bridge處理器發(fā)布之前，個主板廠商紛紛推出了支持高達(dá)DDR3 2800內(nèi)存的7系列新品，實際上規(guī)格較高的6系列主板換用Ivy Bridge處理器后也可以支持DDR3 2800內(nèi)存。近期臺灣著名內(nèi)存廠商芝奇就發(fā)布了旗下第三代Intel Core處理器專屬內(nèi)存，產(chǎn)品默認(rèn)頻率高達(dá)2800MHz。
為給Ivy Bridge提供充足的帶寬，芝奇新的雙通道內(nèi)存默認(rèn)頻率高達(dá)2800MHz，容量為16GB，另外芝奇還提供了8GB*4的DDR3 2666內(nèi)存套裝，相比目前的DDR3 1333帶寬翻了一倍。
內(nèi)存時序方面4GB*4 DDR3 2800套裝為11-13-13-35，而8GB*4 DDR3 2666內(nèi)存套裝為11-13-13-35。
而在來自著名的超頻玩家更是將這根內(nèi)存超頻到了DDR3 3320.4MHz的水平，這也帥新了LGA 1155平臺內(nèi)存超頻的記錄。
文章來源：techpowerup
伴隨著西數(shù)、三星、日立多款2.5英寸雙碟1TB硬盤誕生后，東芝去年發(fā)布的MQ01ABD100 1TB筆記本硬盤也已經(jīng)上市，產(chǎn)品采用了雙碟設(shè)計，厚度僅為9.5mm，可以兼容絕大部分主流筆記本。
東芝新款MQ01ABD100 1TB筆記本硬盤采用了標(biāo)準(zhǔn)的2.5英寸設(shè)計，支持SATA 3Gbps傳輸，轉(zhuǎn)速為5400rpm，配備8MB緩存，平均尋道時間為12ms，待機(jī)功耗僅為0.15W，典型讀/寫功耗為1.5W，平均無故障工作時間為60萬小時。
目前東芝MQ01ABD100 1TB筆記本硬盤已經(jīng)在日本秋葉原上市，售價為11000日元，折合人民幣為854元?！?
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