MOA2012和微星去臺(tái)北 鋪起我的超頻路
泡泡網(wǎng)主板頻道7月26日 微星MOA全球超頻大賽自2008年開(kāi)始，已經(jīng)連續(xù)舉辦四屆，各路高手在MOA舞臺(tái)各顯絕技，追逐世界冠軍的夢(mèng)想，體驗(yàn)打破世界記錄的快感。在第五屆MOA即將召開(kāi)之際，微星科技通過(guò)一系列線上活動(dòng)，誠(chéng)邀微星板卡用戶和超頻愛(ài)好者免費(fèi)赴臺(tái)觀戰(zhàn)MOA2012總決賽，活動(dòng)啟動(dòng)后受到大家廣泛關(guān)注和積極參與，日前已產(chǎn)生20位首輪入圍選手，接下來(lái)將進(jìn)入更為緊張刺激的“挑戰(zhàn)極限”環(huán)節(jié)進(jìn)行終極PK。
從選手們的作品中我們看到了創(chuàng)意和才氣，更感動(dòng)于大家對(duì)微星的信任支持和深厚感情。接下來(lái)的幾天，就來(lái)展示以下入圍作品，了解一下選手們和微星板卡的故事，也許里面也有你我當(dāng)年的影子。
網(wǎng)友：夢(mèng)悔塵【微星MOA2012我要去臺(tái)北】用微星包裝盒擺字
咱已經(jīng)畢業(yè)了，而現(xiàn)在學(xué)生，對(duì)DIY的興趣也不如以前大了。本人算是微星的粉絲了。正好用包裝盒來(lái)擺個(gè)MSI。
雖然接觸電腦十幾年了，但是超頻的次數(shù)還是不是很多的。倒是顯卡方面經(jīng)常超頻。第一次超頻是在微星的H55主板上進(jìn)行的，當(dāng)時(shí)用的CPU是i3 540。自己調(diào)電壓，頻率半天。效果很一般，最后，還是用微星的易超頻開(kāi)關(guān)來(lái)解決的。雖然易超頻開(kāi)關(guān)在超頻的幅度不是太高，一般是10至20之間。但是卻很穩(wěn)定。倒顯顯卡超頻方面，通過(guò)微星自帶的Afterburner顯卡超頻工具方便不少。
微星軍規(guī)標(biāo)準(zhǔn)是最近幾年提出來(lái)的。我覺(jué)得主要是在用料供電方面做了加強(qiáng)，使其更加適合超頻。不過(guò)，我個(gè)人更喜歡的是易超頻旋鈕，超頻更加省事一些。而且現(xiàn)在的超頻與幾年前是完全不同了，幾年前，是低端的產(chǎn)品超頻，為了更到更加實(shí)在的性能，而現(xiàn)在超頻，更多的是展示產(chǎn)品的性能，做工，用料這些方面。以前是為了使用而超頻。
現(xiàn)在是為了展示而超頻。我現(xiàn)在周邊已經(jīng)很少見(jiàn)到因?yàn)橛秒娔X太卡，而不得不超著使用的朋友了。更重要的是英特爾公司普通產(chǎn)品已經(jīng)不再支持超頻，只有K系列的產(chǎn)品才可以超。而且價(jià)格不低。所以我覺(jué)得現(xiàn)在超頻已經(jīng)面向個(gè)人秀時(shí)代，超頻是一種展示自我的平臺(tái)，展示自己強(qiáng)大個(gè)性化的平臺(tái)，與之前為了實(shí)用已完全不同?，F(xiàn)在的超頻已經(jīng)開(kāi)始逐漸脫離平民化了，更加面向?qū)I(yè)領(lǐng)域了。
網(wǎng)友：Allen過(guò)客【微星MOA2012我要去臺(tái)北】微星鋪起我的超頻路
第一年大學(xué)，微星校園行的P43+E7400開(kāi)啟了我的超頻之旅，在那之后我愛(ài)上了超頻，也迷上了微星，之后每次幫人配電腦自己都要順手超一超，從P31，G41，P43到現(xiàn)在自己用的MSI P45，從E33，E52，E63，E74，E84，I7 870到現(xiàn)在自己用的Q82，還有自用的MSI 9800GT，隨著對(duì)超頻理解的不斷加深，對(duì)微星這個(gè)品牌也越來(lái)越喜愛(ài)，尤其是它的軍規(guī)標(biāo)準(zhǔn)，更加提高了超頻的成功率。
喜愛(ài)超頻的朋友都了解，超頻中最關(guān)鍵的是穩(wěn)定性，而隨著電壓的增大，頻率的增高，對(duì)供電則提出了更高的要求。每相供電的組成都是電容，電感和MOS管。軍規(guī)標(biāo)準(zhǔn)則對(duì)每項(xiàng)都做了更高的要求，不僅壽命得到了提高，性能也得到了加強(qiáng)。
電容：電容的作用主要是用來(lái)穩(wěn)定電壓的，他可以為芯片提供一個(gè)穩(wěn)定電壓值，只有當(dāng)電壓穩(wěn)定的時(shí)候，芯片才能處于穩(wěn)定的工作狀態(tài)。一般的傳統(tǒng)電容漏電值約為1200μA，而Hi-C鉭電容只有85μA，僅僅是前者的1/15，從數(shù)據(jù)我們可以看出Hi-C鉭電容有著普通電容無(wú)法相比的超低漏電率。
電感：電感的作用是輸出電流，根據(jù)負(fù)載情況，尤其是超頻或高負(fù)載運(yùn)作的時(shí)候，所需的電流都會(huì)激增。鐵素體電感比起普通電容電流容量提高30%及電流效率提高10%。
MOS管：MOS管本身就是控制電流的一個(gè)打開(kāi)關(guān)，所以MOS管的效率在一定程度上決定著供電模塊的整體效率。DrMOS II技術(shù)的采用，將MOS管和驅(qū)動(dòng)IC整合在一起。這樣做不僅能夠增加轉(zhuǎn)換效率、減少電磁干擾，同時(shí)還能夠有效降低MOS管的發(fā)熱量。■
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