極限快感！最全面的超頻內(nèi)存顆粒搜羅
本文轉(zhuǎn)自《IT世界》，文中內(nèi)容不代表本站觀點(diǎn)，僅供參考。
本文章的主要目的是讓讀者清楚地了解目前每個(gè)廠商的主流DDR芯片的超頻能力和工作時(shí)序，幫助不同層次的用戶們找到適合他們的內(nèi)存產(chǎn)品。由于原作者列出的很多內(nèi)存產(chǎn)品或者是顆粒在國(guó)內(nèi)很難購(gòu)買(mǎi)到，筆者在翻譯過(guò)程中加入了一些平常在國(guó)內(nèi)可以看到的產(chǎn)品，以及筆者在使用這些產(chǎn)品時(shí)候的經(jīng)驗(yàn)，希望能夠以此文給大家最大的幫助。
一. Winbond（華邦）系列
Winbond（華邦）是臺(tái)灣著名的內(nèi)存芯片生產(chǎn)商，該公司生產(chǎn)的DDR內(nèi)存顆粒在玩家心目中的地位是其他任何廠商沒(méi)辦法取代的，該公司的BH-5內(nèi)存芯片已經(jīng)成為高檔內(nèi)存的代名詞。下面給大家?guī)?lái)華邦公司的幾款享有盛名的內(nèi)存顆粒。
1．BH-5
BH-5是華邦公司最出名的內(nèi)存顆粒，也可以稱得上到目前位置最出名的內(nèi)存顆粒！這些顆粒以其超強(qiáng)的內(nèi)存參數(shù)而著稱，并且對(duì)于電壓相當(dāng)?shù)孛舾校淮蠖鄶?shù)的BH-5顆?？梢怨ぷ髟?-2-2-X的參數(shù)下，當(dāng)然在3.2-3.4V高壓下，部分采用BH-5顆粒的優(yōu)品內(nèi)存甚至工作在280MHZ的頻率，并且仍然維持2-2-2-x這樣的時(shí)序。當(dāng)然這樣體質(zhì)的BH-5顆粒還比較少見(jiàn)，對(duì)于內(nèi)存的整體要求也相當(dāng)高。如果你的主板不支持2.8V以上的內(nèi)存電壓調(diào)節(jié)，采用BH-5顆粒的內(nèi)存或許不太適合你，但是對(duì)于那些狂熱的超頻玩家來(lái)說(shuō)，OCZ的DDR booster可以幫助他們榨干BH-5的所有能量，最高3.9V的電壓可以輕松讓你的BH5達(dá)到DDR500,2-2-2-X以上，當(dāng)然筆者不推薦正常使用中采用這么高的電壓（畢竟大多數(shù)采用BH5顆粒的內(nèi)存默認(rèn)電壓為2.5-2.6V之間）。2003年是BH-5顆粒產(chǎn)量最多的一年，但目前華邦已經(jīng)宣布停產(chǎn)BH-5顆粒，因此現(xiàn)在的市面上新售內(nèi)存中采用BH-5的比例非常少，多數(shù)出現(xiàn)在售價(jià)超貴的高端內(nèi)存中，如 Mushkin Black Level ram, Kingston Hyper X, Corsair XMS, TwinMos, Buffalo 以及極少數(shù)低端內(nèi)存產(chǎn)品中；當(dāng)然另外一種尋找BH-5內(nèi)存的方法就是在銷(xiāo)售商的庫(kù)存產(chǎn)品中，或二手市場(chǎng)，網(wǎng)友之間的交易來(lái)獲得。
2.CH-5
CH-5顆粒是華邦公司繼BH-5以后推出的另外一款試用于DDR400內(nèi)存產(chǎn)品的內(nèi)存芯片，可以稱之為BH-5的縮水版，為什么這樣說(shuō)呢？因?yàn)镃H-5超頻后工作參數(shù)一般只能達(dá)到2-3-2-X,頻率在220-230MHZ左右，和BH-5相差甚遠(yuǎn)；并且對(duì)于電壓的敏感程度比不上BH-5，高于3V的電壓通常也起不到太明顯的效果，這種現(xiàn)象雖然主要還是內(nèi)存顆粒的本身體質(zhì)來(lái)決定的，但是和內(nèi)存廠商的PCB板設(shè)計(jì)，用料還是脫不了干系的。不同批次的CH-5顆粒的差別也很大，一些少數(shù)CH-5顆粒同樣可以達(dá)到BH-5所能夠達(dá)到的成績(jī)，當(dāng)然幾率非常小。目前華邦仍然在繼續(xù)生產(chǎn)CH-5顆粒，在BH-5停產(chǎn)后，縮水版的CH-5也逐漸被很多高端內(nèi)存所選購(gòu)，成為新一代的“優(yōu)品”，不少采用CH-5顆粒的內(nèi)存在適當(dāng)?shù)募訅汉罂梢怨ぷ髟?00MHZ 2-2-2-X的模式下，目前Corsair XMS, Kingston Hyper X以及其他幾個(gè)高端品牌的內(nèi)存產(chǎn)品的一些型號(hào)均采用了CH-5顆粒。
3．BH-6
BH-6作為BH-X系列的6ns版本，同樣具有非常不錯(cuò)的性能，某些批次的BH-6的超頻性能甚至能夠比得上同門(mén)大哥BH-5，大多數(shù)BH-6同樣可以工作在2-2-2-2X的參數(shù)下，并且在3.2-3.4V電壓下可以穩(wěn)定工作在240-250MHz。不過(guò)由于華邦在推出BH-6顆粒不久后由于產(chǎn)能不足停止了該型號(hào)顆粒的生產(chǎn)，因此相比BH-5顆粒來(lái)說(shuō)BH-6顆粒數(shù)量更為稀少。Mushkin Special 2-2-2, Corsair XMS, Kingston Hyper X, Kingston Value Ram PC2700等型號(hào)的內(nèi)存產(chǎn)品上采用了BH-6顆粒。
4.CH-6
CH-6是華邦CH-X系列的6ns版本，雖然大家對(duì)這款華邦低端DDR顆粒不是很看好，但是它仍然繼承了華邦系列一貫的優(yōu)秀品質(zhì)。CH-6在大多數(shù)情況下和CH-5很相似，不過(guò)不太容易穩(wěn)定在2-2-2-X的時(shí)序，和CH-5一樣同樣對(duì)于電壓不是很敏感，最高的工作頻率應(yīng)該是220MHz，2-3-2-X的時(shí)序。CH-6面對(duì)的是性價(jià)比比較高的市場(chǎng)，在一些較低端的內(nèi)存產(chǎn)品上比較常見(jiàn)，如Kingston Value Ram,，Corsair Value Ram以及Mushkin Basic系列。
5. UTT
UTT是華邦最新推出的DDR內(nèi)存顆粒，可以說(shuō)和BH-5顆粒非常相似，無(wú)論是能夠達(dá)到的極限頻率以及工作時(shí)序，和BH5不同的是UTT顆粒需要稍高的電壓才能做到這些，因此大多數(shù)超頻玩家選擇讓UTT在3.4-3.6V的電壓下工作。UTT在一點(diǎn)上做的要比BH-5顆粒出色，那就是UTT顆粒無(wú)論是雙面還是單面分布超頻性能幾乎相同，但BH-5更偏愛(ài)單面分布的方式，因此BH-5系列內(nèi)存的最好超頻搭配為2x256MB,但UTT無(wú)論是2x256mb或者是2x512MB的搭配都同樣出色，這一優(yōu)勢(shì)在1GB內(nèi)存成為主流容量的今天顯得特別重要，512MB的容量在對(duì)付主流的3D游戲和軟件應(yīng)用已經(jīng)捉襟見(jiàn)肘。
UTT顆粒在辨認(rèn)上顯得有點(diǎn)困難，你可以通過(guò)印刷在顆粒表面的商標(biāo)很容易地辨認(rèn)出上面介紹的華邦其他四款內(nèi)存芯片，但是UTT的顆粒印刷種類(lèi)比較多，在尋找的時(shí)候會(huì)帶來(lái)不小的難度。UTT常見(jiàn)的顆粒表面印著M.Tec或者Twinmos的商標(biāo)，并且擁有華邦系列內(nèi)存的特征（顆粒正面左右對(duì)稱分布2個(gè)凹進(jìn)去的小圓圈，內(nèi)存的側(cè)面可以看到兩個(gè)短距離的金屬橫片），告訴大家一個(gè)小秘訣，一般具備華邦內(nèi)存顆粒特征但是沒(méi)有印刷BH-5/CH-5的DDR400顆粒通常就是UTT顆粒了。一但擁有了采用UTT顆粒的內(nèi)存，你會(huì)發(fā)現(xiàn)擁有1GB容量并且可以工作在275MHz 2-2-2-X時(shí)序的內(nèi)存是多么值得興奮的事。目前你可以在OCZ Gold VX系列 OCZ Value VX系列, TwinMos Speed Premium 系列以及其他多種品牌的低價(jià)內(nèi)存上看到它的身影。1GB容量的售價(jià)在150美元左右，非常超值。
華邦系列內(nèi)存顆粒的特征－顆粒正面左右對(duì)稱分布2個(gè)凹進(jìn)去的小圓圈，內(nèi)存的側(cè)面可以看到兩個(gè)短距離的金屬橫片
二．Hynix（現(xiàn)代）系列顆粒
目前現(xiàn)代主流的內(nèi)存顆粒有兩種，默認(rèn)頻率在200MHz的D-43顆粒以及250MHz的D-5顆粒。
1.D43
D43是目前現(xiàn)代最常見(jiàn)的DDR內(nèi)存顆粒，這款內(nèi)存顆粒的特征是可以工作在很高的頻率下，不過(guò)是以犧牲內(nèi)存時(shí)序?yàn)榇鷥r(jià)的；通過(guò)手動(dòng)超頻，D43顆粒普遍可以工作在260-270MHz，3-4-4-8的時(shí)序。D43通常也被戲稱為“Intel內(nèi)存”，因?yàn)镮ntel系列芯片組對(duì)于內(nèi)存的工作頻率依賴性比較大，而對(duì)于內(nèi)存時(shí)序的依賴則小于AMD平臺(tái)，D43顆粒對(duì)于使用Athlon XP平臺(tái)的玩家來(lái)說(shuō)并不是理想選擇。和華邦顆粒相反，D43對(duì)于電壓的要求不是很高，一般在多數(shù)主板所支持的2.8V電壓下就可以達(dá)到理想的頻率，因此深受那些不精通改造主板或者另外添置DDR Booster的用戶們來(lái)選購(gòu)。目前D43顆粒分為三種，通過(guò)顆粒編號(hào)的最后5位即可辨別，早期的編號(hào)尾部為BT-D43，后期的又出現(xiàn)了CT-D43以及DT-D43，最后推出的DT-D43顆粒相比它的兩位師兄可以工作在更高的頻率下。由于D43的優(yōu)秀的超頻性能，使得原本為DDR400內(nèi)存設(shè)計(jì)的它出現(xiàn)在很多廠商的PC4000（DDR500）內(nèi)存中，如Kingston Hyper X, Corsair XMS, Patriot等。
2．D5
D5作為現(xiàn)代DDR系列內(nèi)存顆粒的高端型號(hào)，和同門(mén)師弟D43的體質(zhì)很相似，不過(guò)D5顆粒工作在更高的頻率和時(shí)序下。D5默認(rèn)工作頻率就是250MHz，是為DDR500內(nèi)存設(shè)計(jì)的，因此極限頻率比D43更高，默認(rèn)即可達(dá)到250MHz 2.5-4-7,D43工作在250MHz時(shí)的時(shí)序?yàn)?-4-4-8；此外D5顆?？梢云毡檫_(dá)到270-280MHz,少數(shù)可以超越300MHz，比D43更優(yōu)秀。D43被稱之為“Intel內(nèi)存”，而D5顆粒則為更高端的Athlon64，Intel平臺(tái)的超頻玩家們提供了一個(gè)不錯(cuò)的選擇，此外還可以很好地搭配Athlon XP平臺(tái)，2-3-3-X時(shí)序下頻率可以達(dá)到210-220MHz（當(dāng)然了由于Athlon XP外頻極限較低，因此工作時(shí)序更好的華邦系列內(nèi)存是其非常好的選擇）。因此D5可以說(shuō)是一款適用平臺(tái)相當(dāng)廣的內(nèi)存顆粒，和D43一樣，D5系列目前具備3個(gè)版本，編號(hào)分別為BT-D50, CT-D50，DT-D50，據(jù)稱最新的DT-D50版本被正實(shí)可以穩(wěn)定工作在2-2-2-X 200MHz,和三星的高端顆粒TCCD類(lèi)似，此外DT-D50工作在300MHz頻率以上的幾率也更大。目前OCZ PC4000 rev. 2, Corsair XMS以及其他品牌的多款型號(hào)采用了D5顆粒，我們給它的評(píng)價(jià)是：“性價(jià)比最好的內(nèi)存產(chǎn)品”。
三.鎂光系列顆粒
鎂光系列DDR內(nèi)存顆粒以出色的超頻性能以及兼容性好而著稱，好多超頻玩家稱之為“中庸內(nèi)存”，在中端領(lǐng)域鎂光的顆粒無(wú)人能敵。目前常見(jiàn)的DDR顆粒包括-5B C/-5B G系列。
1． -5B C
說(shuō)實(shí)話鎂光的5B系列顆粒本來(lái)應(yīng)該十分熱賣(mài)才對(duì)，這款-5B C顆粒不僅能夠達(dá)到很高的頻率并且同時(shí)擁有很棒的時(shí)序，通?？梢苑€(wěn)定工作在230MHz，2.5-2-2-X，雖然CAS延遲不能達(dá)到2.0或者更低，但是TRD和TRP卻很低，均可穩(wěn)定在時(shí)序2，當(dāng)然工作頻率還可以上的更高。-5B C對(duì)于電壓同樣很敏感，在3.0V電壓下基本上可以達(dá)到最高頻率250MHz以上。鎂光的顆粒的效能非常好，CAS2.5可以和BH-5系列CAS2相聘美，此外該款內(nèi)存的異步性能非常好，對(duì)于高端的Athlon64，Intel平臺(tái)處理器FSB的提升尤其有幫助。目前多家廠商推出的PC3200內(nèi)存均采用了鎂光的這款芯片，其中最引人注目的就是日本的Buffalo品牌，此外還包括Crucial, OCZ 和其他品牌。
2. -5B G
【圖片欠奉】
-5B G顆粒是鎂光針對(duì)前者-5B C的改進(jìn)版，雖然同樣為5ns芯片，但是所能達(dá)到的最高頻率要高于前者，著名的Crucial Ballistix系列內(nèi)存就采用了這款型號(hào)的內(nèi)存顆粒，不僅工作頻率高，內(nèi)存時(shí)序也相當(dāng)出色。-5B G顆?？梢栽诒３州^高頻率的同時(shí)擁有出色的時(shí)序，大多數(shù)-5B G可以工作在250-260MHz，2.5-2-2-X的時(shí)序，比大多數(shù)現(xiàn)代的D43/D5顆粒都要出色，目前1GB容量Crucial Ballistix的售價(jià)在250美元左右，此外你還可以在鎂光原廠DDR400上發(fā)現(xiàn)這款顆粒的身影。
四．Infineon（英飛凌）系列顆粒
Infineon（英飛凌）科技作為內(nèi)存界的元老，其在SD時(shí)代的超頻性能無(wú)人能敵，并且具備完美的兼容性能。目前英飛凌常見(jiàn)的幾款DDR內(nèi)存顆粒在超頻上都有不錯(cuò)的表現(xiàn)。
1 .B5
【圖片欠奉】
這是英飛凌的5ns內(nèi)存顆粒，不過(guò)并不多見(jiàn)，因?yàn)閮H有Corsair XMS3200 rev. 3.1這款內(nèi)存使用了B5顆粒，默認(rèn)設(shè)置為200MHz，2-3-3-6時(shí)序，相當(dāng)不錯(cuò)，總體特征和華邦的CH-6顆粒很類(lèi)似。B5顆粒對(duì)電壓同樣敏感，不過(guò)沒(méi)有華邦的顆粒那么明顯，即使加壓后超頻幅度也很一般，在2.9-3.0V的電壓下只能工作在220-230MHz，嘗試超過(guò)這個(gè)電壓更是在浪費(fèi)時(shí)間。
2. BT-6
這款是英飛凌的6ns顆粒，主要使用在PC2700內(nèi)存產(chǎn)品上，和B5很類(lèi)似，僅是在超頻幅度上略遜于后者。Kingston的KVR2700就是采用了BT-6顆粒，可以穩(wěn)定工作在215MHz,2.5-3-3-11的時(shí)序；目前6ns的BT-6算是比較落伍了，不過(guò)可以輕松達(dá)到200MHz，CAS2.5的水準(zhǔn)，如果想要達(dá)到更高的頻率和參數(shù)，就要在電壓上下功夫了。綜合來(lái)說(shuō)，BT-6的好處就是以PC2700的價(jià)格帶給你PC3200的體驗(yàn)。
3. BT-5
目前最常見(jiàn)的英飛凌DDR400芯片就是BT-5，默認(rèn)工作頻率為200MHz,3.0-3-3-8,DDR400通常優(yōu)化時(shí)序?yàn)?.5-3-2-X,顯得一般，不過(guò)BT-5擅長(zhǎng)的是頻率制勝，并且對(duì)于電壓敏感程度很高，在2.8V以上電壓，BT-5顆粒大多可以工作在240MHz以上，少數(shù)可以達(dá)到275MHz，3-4-4-X的工作狀態(tài)。目前在很多品牌包括英飛凌原廠的PC3200內(nèi)存都采用了這款BT-5顆粒，是一款性價(jià)比不錯(cuò)的產(chǎn)品。
4. CE-5/BE-5
在BT-5 200MHz下的時(shí)序遭人詬病以后，英飛凌的另外一款5ns DDR顆粒進(jìn)入了市場(chǎng)，CE-5顆?？梢苑€(wěn)定工作在200MHz 2-3-2-X時(shí)序，此外部分產(chǎn)品還可以上到260MHz以上的頻率，不過(guò)目前采用CE-5顆粒的內(nèi)存品質(zhì)參差不齊，一部分產(chǎn)品甚至不能穩(wěn)定在225MHz以上。此外最新推出的BE-5顆粒，可以單面實(shí)現(xiàn)512MB容量，在參數(shù)和極限速度上相比CE-5又有進(jìn)步。
五．三星（Samsung）系列顆粒
三星是目前世界上最大的半導(dǎo)體公司，也是排名前三名的內(nèi)存廠商，其生產(chǎn)的內(nèi)存顆粒為各內(nèi)存廠商廣泛采用，編號(hào)為T(mén)C系列的DDR內(nèi)存顆粒更是得到了超頻玩家們的熱愛(ài)，當(dāng)然其中最著名的就是TCCD顆粒。
1. TCB3
TCB3是三星推出的6ns DDR顆粒，可以穩(wěn)定地工作在PC2700, 2-2-2-X的時(shí)序，參數(shù)非常優(yōu)秀，此外它同樣可以工作在PC3200,但是不能繼續(xù)維持這么高的時(shí)序，200MHz時(shí)的時(shí)序?yàn)?-3-3-6，不過(guò)也已經(jīng)很不錯(cuò)了。TCB3的頻率極限在230MHz左右，對(duì)于對(duì)于默認(rèn)為166MHz的內(nèi)存來(lái)說(shuō)超頻幅度很大，TCB3對(duì)于電壓并不太敏感，3.0V電壓下頻率提升也不是很大；實(shí)際上，OCZ的幾款PC3700內(nèi)存就是采用了TCB3顆粒，顯得有些不可思議。TCB3搭配那些FSB不超過(guò)180MHz的處理器效果很不錯(cuò)，許多著名品牌的高端PC2700內(nèi)存都采用了這款顆粒，包括Corsair XMS2700, XMS3200, Kingston Hyper X PC2700, Mushkin PC3200以及TwinMos，OCZ的部分型號(hào)。
2． TCCC
TCCC是三星TCC系列（PC3200）里面編號(hào)為“C”的顆粒，表示其PC3200時(shí)預(yù)設(shè)CAS值為3，這款內(nèi)存顆粒在很多廠商的PC3200內(nèi)存產(chǎn)品中都可以看到。TCCC人稱“多面手”，是因?yàn)樗梢怨ぷ髟?50-260MHz,3-4-4-8的時(shí)序，而默認(rèn)200MHz時(shí)可以保持2.5-3-3-6的時(shí)序，由于TCCC顆粒的售價(jià)比較便宜，因此和現(xiàn)代的D43一起成為性價(jià)比出色的代表。此外不少PC4000（DDR500）內(nèi)存同樣采用了TCCC顆粒，如KingSton Hyper X PC4000 module I，不過(guò)由于已經(jīng)接近極限頻率，留給這款內(nèi)存的超頻空間已經(jīng)很小了。當(dāng)然電壓對(duì)于TCCC顆粒的超頻有一定的影響，不過(guò)在2.8V時(shí)已經(jīng)基本上可以達(dá)到最高頻率。Corsair XMS3700, Samsung PC3200以及其他品牌的PC3200產(chǎn)品上都可以看到TCCC的身影。
3. TCC4
TCC4是三星的另外一款5ns的DDR400內(nèi)存顆粒，不過(guò)并不常見(jiàn)，在一些品牌的PC3200低端內(nèi)存甚至是PC2700內(nèi)存上面可以看到它。TCC4并不太適合超頻用戶，因?yàn)樵诩訅呵闆r下最高也只能穩(wěn)定在210-220MHz,3-3-3-X的時(shí)序模式下，對(duì)電壓很不敏感，只適合追求容量和性價(jià)比的用戶。
4. TCC5
TCC5是三星TCC系列的一款新產(chǎn)品，在各方面比它的前輩TCC4都要優(yōu)秀的多，一般多用在PC3700內(nèi)存產(chǎn)品上，超頻性能很不錯(cuò)。這款內(nèi)存的默認(rèn)工作頻率為233MHz，初始頻率比TCC4的極限都要高，默認(rèn)工作時(shí)序可以達(dá)到2.5-3-3-X，在超頻模式下，可以工作在250MHz，3-4-4-X的時(shí)序下，對(duì)于電壓也不太敏感。這款顆粒相比TCCC和現(xiàn)代的D43來(lái)說(shuō)并不常見(jiàn)，售價(jià)相對(duì)較高，對(duì)于AMD,Intel的平臺(tái)都比較適應(yīng)，200MHz下可以提供不錯(cuò)的時(shí)序，而超頻狀態(tài)下可以提供不錯(cuò)的頻率，是一個(gè)不錯(cuò)的選擇。
5. TCCD
繼華邦的BH-5之后，三星的TCCD是第二款應(yīng)該被大家記住并懷念的顆粒；TCCD被稱之為“BH-5的代替者”，某些人贊同這一說(shuō)法，當(dāng)然也有人反對(duì)。TCCD可以稱得上最全面的內(nèi)存芯片，要高參有高參，要高頻有高頻，TCCD可以在2-2-2-X的時(shí)序下穩(wěn)定工作在220MHz,也可以在2.5-4-4-X的時(shí)序下以超過(guò)300MHz的頻率穩(wěn)定運(yùn)行，是目前工作頻率最高的DDR內(nèi)存芯片。
TCCD對(duì)于電壓的比較敏感，但是并不需要太高的電壓就可以完全進(jìn)入高效狀態(tài)，在2.8V或者更低電壓下即可達(dá)成，幾乎適用于所有的主流主板。目前采用TCCD顆粒的內(nèi)存產(chǎn)品在沒(méi)有改造過(guò)的主板上可以輕松達(dá)到DDR600的水準(zhǔn)，可以滿足不同需求的所有用戶的需要。TCCD和BH-5相比在高頻時(shí)候的參數(shù)不足可以通過(guò)更高的工作頻率來(lái)彌補(bǔ)，只是和某些主板的兼容性不是太理想（這一點(diǎn)和BH-5沒(méi)的比?。?。目前幾乎所有的內(nèi)存頻寬記錄都是由TCCD創(chuàng)造的，Kingston Hyper X, Corsair XMS, Patriot XBL, Mushkin Level 2, G.Skill, PQI Turbo 以及Adata等采用TCCD顆粒的產(chǎn)品已經(jīng)成為超頻玩家們追捧的對(duì)象，當(dāng)然售價(jià)也是高高在上。<
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