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ELPIDA將于9月量產(chǎn)3.2GHzXDR內(nèi)存芯片

　　日本內(nèi)存制造商爾必達(dá)（ELPIDA）昨天宣布將于9月份量產(chǎn)3.2GHz規(guī)格512Mb XDR DRAM芯片，編號(hào)EDX5116ABSE。

　　據(jù)悉，索尼公司下一代游戲機(jī)PS3已經(jīng)確定采用XDR為系統(tǒng)內(nèi)存。EDX5116ABSE可支持2.4GHz、3.2GHz、4GHz的數(shù)據(jù)傳輸率，組織結(jié)構(gòu)為32MX16bit，工作電壓1.8V±0.09，采用104Pin FBGA封裝。