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富士通新磁頭 飽和磁通量密度達2.57T

　　“2.3T曾被業(yè)界視為極限，很多廠商都不再做進一步的開發(fā)”（富士通存儲產(chǎn)品業(yè)務(wù)本部長第一業(yè)務(wù)部磁頭先行開發(fā)部野間 賢二）。富士通日前成功地開發(fā)出飽和磁通量密度（Bs）高達2.57T的記錄磁頭。這項成果打破了過去普遍認為Bs的上限約為2.3T的常識。據(jù)稱由此可在水平記錄方式下實現(xiàn)160Gbit/平方英寸的面記錄密度。

　　首先在硅底板上形成5nm厚的鉻（Cr）膜，再層疊25次（FeCo30/Pd）膜，之后再形成10nm厚的銅（Cu）膜。通過將每層FeCo的膜厚固定為1.7nm，而改變Pd的膜厚，當(dāng)Pd膜為1.4nm時，飽和磁通量密度達到了最高的2.57T。

　　據(jù)稱，采用在FeCo30中添加Pd的材料，取代層疊25次（FeCo30/Pd）膜的情況下，當(dāng)Pd濃度達到2.2%時飽和磁通量密度最大可達2.44T。該公司表示，從層疊時的飽和磁通量密度高于添加材料來看，可能是Pd的規(guī)則排列提高了飽和磁通量密度。

　　富士通準(zhǔn)備通過嘗試新材料，進一步提高飽和磁通量。目前正在向著2.7T的目標(biāo)加緊開發(fā)，據(jù)稱在該公司內(nèi)部已經(jīng)獲得超過此次發(fā)表的成果。