內存升級免費午餐！DDR3超頻終極解析
泡泡網(wǎng)內存頻道11月16日 前不久我們在《千項數(shù)據(jù)達成！DDR3內存深度對比測試》一文中詳細介紹了內存頻率和內存時序對內存性能、以及牽涉到的應用性能和游戲性能的影響，而由于要面對如此龐大的頻率和時序配置，編輯本人自然選擇了超頻方式來滿足一一的需求。
目前來說內存超頻已經(jīng)簡化了不少，在一些高端主板BIOS里面都已經(jīng)集成了內存頻率和內存時序的調節(jié)，而即使是中低端的產(chǎn)品也都支持頻率的調節(jié)，只不過缺少了內存時序和內存超頻的支持，也可以滿足普通用戶的需求了。
而本文就從主板BIOS調節(jié)來為大家介紹一些簡要的內存超頻技巧，另外由于內存頻率、時序規(guī)格植根于SPD，所以我們還將加入內存SPD的參數(shù)實戰(zhàn)修改來超頻，起到一勞永逸的作用。
由于BIOS內存超頻相對簡單，本文將在后續(xù)作簡要介紹，而本文的重點講集中在內存SPD參數(shù)的修改，在《千項數(shù)據(jù)達成！DDR3內存深度對比測試》一文中我們曾經(jīng)概覽的介紹了下SPD的參數(shù)信息，而為了達成內存硬超頻，我們有必要詳細介紹下SPD的具體規(guī)格參數(shù)。
SPD（Serial Presence Detect）也就是內存的BIOS，它是一顆8針的EEPROM芯片，容量只有256Byte，其中128Byte用于存儲JEDEC規(guī)定的標準信息，其余部分留給廠商自定義數(shù)據(jù)和保留位置，包括產(chǎn)品廠商產(chǎn)品型號、序列號、生產(chǎn)日期以及一些特殊的內存說明信息等，而在保留位置還預留了Intel X.M.P信息存儲空間。
SPD通過SMBus總線與PCH（或南橋）芯片通訊，系統(tǒng)啟動過程中BIOS要訪問SMBus設備需要通過PCH芯片的寄存器實現(xiàn)。然后內存控制器根據(jù)這些信息初始化內存狀態(tài)，這樣內存就可以正常工作，自然要刷新SPD數(shù)據(jù)也需要經(jīng)由SMBus總線。
圖示是一根三星的標準DDR3 1600（俗稱“金條”）內存的SPD信息，這些數(shù)據(jù)是以2進制存儲在SPD芯片當中的，為了簡化閱讀，圖示信息都是以16進制展示，我們知道4個2進制位就可以代表1個16進制位，而一個字節(jié)8bit則可以存儲2個16進制數(shù)據(jù)，也就是說256Byte包含了512個16進制數(shù)據(jù)。
關于內存的十六進制對照表
根據(jù)SPD規(guī)范，這些數(shù)據(jù)基本是以2個16進制成對的形式來表達一項定義，而下文的介紹我們也以成對的數(shù)據(jù)來介紹。
知道了SPD是由這512個16進制數(shù)據(jù)表示后，下面我們就來一一看看它們代表的具體含義。
在詳細介紹這些信息前我們還是習慣性的把這些數(shù)據(jù)分為三組，JEDEC標準信息、內存廠商標識信息和Intel X.M.P信息。
首先介紹的是JEDEC標準信息，而這一部分信息已經(jīng)鎖死，無法修改，我們看看就好。這部分數(shù)據(jù)起始位置為0-117，也就是118個數(shù)據(jù)對。00-09（十六進制，后面數(shù)據(jù)段都使用相同的方式表達）數(shù)據(jù)段描述了內存SPD、版本、顆粒、行列地址、位寬、支持電壓等信息。
Thaiphoon Burner下內存的完整信息
接下來的一部分為內存JEDEC官方標準內存頻率和時序信息，數(shù)據(jù)范圍為0A-26，這部分信息注重描述了內存基準時鐘和延遲時間的定義，另外還由少部分字節(jié)來描述內存熱傳感器和設備類型信息。
27-3B這個區(qū)間則為保留區(qū)域，為以后添加類似延遲、內存基本信息做準備。隨后的3C-3F這一小段則用來描述內存模組的物理規(guī)格信息（高度、厚度等信息）以及產(chǎn)品使用公版方案和內存地址映射等。
40-74同樣是一片保留區(qū)域，不過這部分空白的主要原因是留給Registered、Clocked、Load Reduction等內存準備的，目前對于桌面的UDIMM內存還未有開發(fā)。
75-91這個區(qū)域主要描述內存廠商關于這款內存的信息，這包括廠商代碼、DRAM生產(chǎn)商代碼、內存生產(chǎn)日期、內存序列號、內存產(chǎn)品號等信息，值得注意的是CRC循環(huán)冗余代碼也在這其中。
在用戶定義區(qū)域之前是一片留給廠商的自定義信息空間（96-AF），主要用于廠商對內存的補充信息說明和定義。接下來就是本次討論的重點--用戶定義區(qū)域（Open for Customer Use），這部分范圍為B0-FF，在這個區(qū)域最常見的就是Intel X.M.P信息存儲區(qū)域，最多可以存儲兩組X.M.P參數(shù)配置。
在開頭部分自然少不了X.M.P的標識信息OC 4A（16進制），接著是X.M.P啟用類型，這包括每通道單條、每通道兩條六種配置信息。緊接著的B4則用來標識X.M.P的版本，目前Intel最新的X.M.P版本為1.3。
接下來的B4-B7為配置1和配置2的基準時鐘定義。通過基準始終分子除以基準時鐘分母（Medium Timebase Dividend/Medium Timebase Divisor）來代表來表示最小周期時間，也就是一個周期。
緊接著的B8位置為保留區(qū)域（最新的1.3版定義規(guī)范下已經(jīng)啟用），接下來一長串B9-D1為X.M.P內存基準時鐘和延遲時間的定義，基本和前文中介紹的JEDEC區(qū)域相似，只是參數(shù)位置、配置略有不同。
D2-DA又是一片保留區(qū)域，而在這段的結尾，DB處留給了供應商個性化定義。自此Profile 1 X.M.P配置信息結束，接下來的一段延展（DC-FE）為Profile 2 X.M.P的配置信息，和Profile 1規(guī)則完全一致。
不過在Intel的官方文檔里面，Profile 1 X.M.P配置為通過認證的頻率時序設置，而Profile 2 X.M.P則旨在達到更高更快的速度，可能會出現(xiàn)不穩(wěn)定或無法啟動的情況。
簡要看完DDR3內存的時序和SPD信息后，接下來就開始正式的測試，為最大限度發(fā)揮內存的性能，測試使用了Intel新一代22nm Ivy Bridge處理器Core i5 3570K，Intel官方指導內存支持頻率為DDR3 1600。搭配的華碩P8Z68-V主板，內存超頻最高可以支持雙通道DDR3 2800MHz規(guī)格，最大容量為32GB，當然主板支持Intel的X.M.P技術。
內存方面自然是本次測試的重點，選用了一對俗稱三星“金條”的DDR3 1600內存，產(chǎn)品DDR3 1600頻率這一檔內存時序為11-11-11，而根據(jù)以前的經(jīng)驗產(chǎn)品可以輕松超越DDR3 2133MHz，并且保持在較好的時序下，而市面上就有一些內存就完全基于三星金條，只不過套了一個散熱馬甲，頻率預設這在DDR3 2133MHz，當然無可厚非三星金條確實有不錯超頻潛能。
三星新款內存模組編號為M378B5273DH0-CK0，生產(chǎn)日期為2012年第38周，產(chǎn)品使用的內存顆粒編號為K4B2G0446D-BCK0，不過在官方查詢到的資料上面并沒有這樣一個產(chǎn)品，官方有的編號為K4B2G0446D-HCK0以及我們熟知的K4B2G0446D-HCH9。
內存顆粒編號K4B2G0446D-BCK0
我們猜測K4B2G0446D-BCK0為K4B2G0446D-HCK0的演化版本，但從6D的后綴基本可以判斷產(chǎn)品還是使用了30nm工藝，超頻值得期待。
值得注意的是再三星的官方文檔上我們還看到了一款編號為K4B2G0446D-HCMA的內存顆粒，產(chǎn)品用于制作DDR3 1866內存，同樣采用了78pin FBGA封裝，雖然內存時序為13-13-13，但是我們依然可以感覺到超頻新秀的氣息。
標準BIOS超頻只需通過簡單的頻率和時序設置就可以完成，但是不具備平臺移植性，另外對于入門級用戶很難把握超頻的內存頻率和時序設置，所以并不是最優(yōu)的內存超頻解決方案。
而本文就簡要的通過華碩的UEFI來為大家介紹內存的超頻過程，首先我們拿到的是一款三星新款DDR3 1600內存（金條升級版本），繼續(xù)采用了30nm工藝，不過設置相對保守，默認時序為11-11-11-36，無論是頻率還是時序都有很大的超頻空間。
根據(jù)三星金條的通例表現(xiàn)，我就直接給大家演示超頻到DDR3 2133MHz，內存時序為11-11-11的超頻過程，首先進入到主板BIOS界面，進入AI Tweaker超頻菜單，選中Memory Frequency，在下拉菜單中選中2133MHz，回車確定后進入DRAM Timing Control（內存時序）的設置。
在內存時序菜單下包含了第一時序、第二時序、第三時序的豐富調節(jié)選項，而本文僅調節(jié)第一時序，其余Auto。依次將時序設置為11-11-11-36，Command Rate設置為1T。這樣就設置完成了保存BIOS后重啟就生效了。
回到本文的重點--SPD修改，前面我們已經(jīng)介紹了JEDEC信息已經(jīng)鎖死無法修改，我能只能寄希望于X.M.P修改（前提是你主要也要支持X.M.P），而我們使用了一款名叫Thaiphoon Burner的工具來修改和刷新SPD。Thaiphoon Burner提供了豐富的讀取、編輯、寫入等功能，可以實現(xiàn)一條龍的內存刷新服務。
首先我們使用Read選項讀取內存SPD信息，根據(jù)前文的介紹我們可以看到這條三星內存是沒有X.M.P配置信息的，于是我們就從這里開始做文章，當然為了安全起見你還是得備份你的SPD，存儲文件格式隨意選擇bin或是Thaiphoon Burner專用的thp文件。
備份完SPD信息后，就開始著手修改了，打開工具-->XMP Enhancer Professional選項，當然由于內存沒有X.M.P標識信息，我們需要先手動將B0-B1位置寫入0C 4A的Intel X.M.P表示信息，點擊寫入后選擇所有的內存。
由于X.M.P涉及的頻率、延遲信息規(guī)則定義非常多，就沒法為大家一一描述了，在此給出一張JEDEC官方規(guī)格表供參考，而對于數(shù)據(jù)規(guī)則定義大家去參考JEDEC官方DDR3內存標準的詳細定義。另外大家也可以參考一些高端發(fā)燒內存的X.M.P內存信息。
添加完一組Profile配置文件后，用戶還可以繼續(xù)添加一組。然后就可以使用Write寫入到內存SPD中了。寫入完成后使用CPU-Z就已經(jīng)可以顯示內存的X.M.P信息了，只不過此時內存依然運行在啟動時的頻率上。
于是我們需要重新啟動電腦，進入BIOS就可以看到X.M.P了，我們只需將內存選項X.M.P打開就可以了，保存重啟進入系統(tǒng)后就可以看到新的X.M.P配置生效了。
刷新完內存后，現(xiàn)在用戶還有更重要的事情要做，就是穩(wěn)定性驗證，在這里推薦Memtest，為了安全起見，建議跑到400%以上。
測試完成后，我們還是來檢驗下內存的性能提升吧，對比的成績?yōu)槟JDDR3 1600MHz的成績。
DDR3 1600
DDR3 2133
首先進行的AIDA64內存帶寬測試，內存超頻后的讀寫成績分別為21252MB/s和20010MB/s，對比默認的成績有了明顯的提升，另外內存延遲也從46.1ns降至38.2ns。
DDR3 1600
DDR3 2133
接下來的3DMark 11物理測試得分也同樣提升很明顯。
● 注意事項：
1.由于涉及到BIOS修改，用戶務必備份原始BIOS，以防修改失敗刷回原始BIOS，實際失敗了也可以以低頻率和時序啟動，當然最重要的是原始BIOS用于售后維修，如果內存被人為刷新估計質保就此沒有了。
2.修改BIOS一定要閱讀JEDEC官方的4_01_02_11R21A、JESD79-3F以及Intel的Intel Extreme Memory Profile(XMP) Specification文檔，并最好參考一些高端內存的頻率、延遲設置，因為這些設置都比較保守，出問題的可能性不大。
3.對于參數(shù)的修改，切記不要盲目求大，這樣很容易導致內存出錯率提升甚至無法啟動，相反的我們應該選擇降一檔的規(guī)格來設置內存頻率和延遲，以確保配置穩(wěn)定。
4.如果內存刷新失敗，可以嘗試使用一根好的內存啟動，等系統(tǒng)啟動完成后迅速將刷新失敗的內存插入，先嘗試倒入原始的備份BIOS。
5.由于諸多原因，文中用到的軟件和資料不便公開分享，如有需要可留言探討內存超頻技巧?！?
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