頻率直上3GHz 下代ARM將采用20nm工藝
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泡泡網(wǎng)CPU頻道7月9日 目前的ARM處理器還處在40nm向28nm工藝升級的狀態(tài)，已知的性能最強、頻率最高的ARM處理器是驍龍800,頻率2.3GHz，TSMC 28nm HPM工藝生產。不過下一代ARM處理器將使用20nm工藝，頻率可達3GHz，頻率提升30%，而功耗會降低25%。
Fudzilla報道稱，為了制造出更先進的處理器，下一代ARM至少要使用20nm工藝生產。在20nm節(jié)點，TSMC承諾新工藝制造的處理器速度可提升30%，功耗降低25%，同時晶體管密度比前代高1.9倍。
30%的速度提升意味著下一代ARM處理器最高頻率可達到3GHz左右，而更高的晶體管密度意味著未來的ARM處理器可集成性能更高的GPU，也許這就是NVIDIA未來Kepler架構的Tegra 5（代號Logon，金剛狼本名）要等到20nm節(jié)點的原因吧。
功耗降低25%意味著未來的SoC處理器的續(xù)航時間提升25%（原文如此，這么算肯定不對，處理器功耗不等于設備功耗），目前有關智能設備最大的抱怨就是續(xù)航時間，消費者不妨將目光放在未來的20nm處理器上。
功耗降低、性能提升也使得ARM面對X86領域的Intel、AMD有更強的競爭力，特別是在平板及可折疊設備領域。只不過Intel也不是省油的燈，TSMC的20nm工藝要等到明年才能量產，而Intel在明年底就會上馬14nm工藝的Atom處理器了，而AMD在2014年甚至有可能用上GlobalFounderies公司的14nm-XM工藝了。■
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