DDR400狂飆270MHz 優(yōu)品LED海盜旗首測
測試標題DDR400狂飆270MHz 極品LED海盜旗首測
2005年06月30日 06:55作者：槍炮與玫瑰編輯：郭闖文章出處：泡泡網原創(chuàng)
CORSAIR一直是世界超頻玩家們公認的優(yōu)異內存品牌，在世界各大超頻排行榜的硬件配置中，CORSAIR內存的曝光率也是最高。CORSAIR內存固然是好，但是其在國內的市場上卻也很難見到。從今年開始，在國內銷售的CORSAIR內存已經由知名板卡廠商——升技代理，憑借升技多年來在國內市場完整的銷售渠道以及鋪貨經驗，以后我們國內的超頻玩家們也可以輕松將CORSAIR內存置于囊中了。
憑借我們與升技公司良好的關系，我們PCPOP評測室已經收到了目前CORSAIR DDR內存中的優(yōu)異型號——XMS Xpert來進行評測。XMS Xpert內存可謂是今年CEBIT 2005中CORSAIR展臺最搶眼的一款產品，它最大的特點就是可以外接一塊LED顯示屏，能即時顯示內存當前工作頻率、電壓以及溫度。而且還可以通過CORSAIR為XMS Xpert內存專門設計的監(jiān)控軟件，在操作系統(tǒng)中來查看內存信息。CORSAIR不愧是CORSAIR，讓我們很難想象在一款小小內存上竟然也可以做這么大的文章。
其實CORSAIR這種在內存模塊上附加LED顯示屏的概念，在其之前的XMS PRO系列上就已經可以看到了，只不過當時那個顯示屏的功能比較簡單，只能單純的用來顯示內存的活動狀態(tài)。而新的XMS Xpert系列，則是相同概念的進一步擴充，通過外接的LED顯示屏可以顯示更詳細的內存信息。
當然除了LED顯示屏這一大賣點外，XMS Xpert內存也仍然會保持CORSAIR一貫的超頻特色。具我們所知，標稱DDR400的XMS Xpert內存，采用了超頻方面極其優(yōu)秀的三星TCCD顆粒，可以說是目前DDR內存顆粒中的優(yōu)品。而至于XMS Xpert內存的具體性能我們將在隨后的詳細測試中揭曉。
測試內存是個耐心工作，需要你反復調試其工作頻率以及延時參數中來挖掘它的非常好的性能，而且受到外界電壓的細微差別，內存的實際表現(xiàn)也不一樣，這一切都需要你慢慢去摸索嘗試，千萬不可操之過急。
測試平臺 |
CPU | AMD Athlon 64 3000+ |
主板 | DFI nForce4 －DAGF |
內存 | CORSAIR XMS Xpert 512MB×2 |
硬盤 | Seagate 7200.7 40G |
顯卡 | Inno3D 6600 |
電源 | 航嘉冷靜王至尊版 |
軟件配置 |
操作系統(tǒng) | WinXP SP2 中文版 |
主板驅動 | NVIDIA ForceWare 7.13 WHQL |
DirectX版本 | DirectX 9.0c |
測試項目 |
SiSoftware | V2005.1.10.50 |
PCMark04 | Build 1.3.0 |
EVEREST | V2.01.359 Beta |
MemTest | V3.2 |
測試平臺
由于Intel系列芯片組目前的重點放在DDR2身上，因此對于這次測試平臺方面，我們選擇了目前如日中天的nForce4芯片組。特別是DFI這款nForce4-DAGF主板不但內存調節(jié)參數繁多，而且最高還支持內存電壓到3.2V，這對于我們進行超頻內存測試的時候將十分有幫助。
延用過去的內存測試方法，我們將內存組成雙通道同時開啟nForce4平臺的“1T”內存模式來測試。其中將通過SiSoftware、PCMark04和EVEREST這幾款軟件考察內存的帶寬性能、讀取測試、寫入測試、潛伏周期以及綜合性能。而MemTest則是測試內存超頻穩(wěn)定性的一款軟件，如果超頻后不能通過MemTest 300%穩(wěn)定性測試我們將視為超頻失敗，同時也不考核其測試成績。
CORSAIR內存監(jiān)控軟件截圖
CORSAIR內存監(jiān)控軟件截圖
我們首先安裝了XMS Xpert內存附帶光盤中的監(jiān)控軟件來查看一下內存的情況。我們可以看到其默認頻率為201MHz，SPD時序為2-2-2-5。而BIOS中的內存默認的電壓是2.6V，在這里軟件檢測為2.57V，偏差也在合理范圍之內。
XMS Xpert內存LED屏幕顯示的頻率信息
XMS Xpert內存LED屏幕顯示的電壓信息
XMS Xpert內存LED屏幕顯示的溫度信息
通過內存LED顯示屏，你可以清楚的看到內存當前的工作頻率、工作電壓以及工作溫度，字條是從右向左滾動顯示的，兩側還分別有藍色的CORSAIR LOGO，真的很YY哦！
首先我們來測試一下該內存默認時鐘頻率200MHz，以及默認SPD時序2-2-2-5時的軟件測試成績。此時的BIOS默認內存電壓為2.6V，而實際檢測電壓偏低一些，具體測試成績如下：
CPU-Z 1.29截圖
CORSAIR內存監(jiān)控軟件截圖
SiSoftware
內存帶寬測試（分數越高越好）
PCMark04
內存單項測試（分數越高越好）
EVEREST
內存讀取數據測試（分數越高越好）
EVEREST
內存寫入數據測試（分數越高越好）
EVEREST
內存潛伏時間測試（分數越低越好）
由于XMS Xpert內存本身的SPD參數就非常優(yōu)秀，尤其是CL值等于2可以說是很多DDR400內存非常逾越的一個屏障，因此其在200MHz工作頻率下的測試成績也比我們常見的DDR400內存要好一些。
CPU與內存同步提升10MHz，保持BIOS默認內存電壓2.6V，順利開機進入系統(tǒng)。測試MemTest不久后開始發(fā)現(xiàn)一個錯誤，重新啟動機器將內存電壓調整到2.7V，再次開機可以一次通過MemTest 300%測試。軟件測試成績如下：
CPU-Z 1.29截圖
CORSAIR內存監(jiān)控軟件截圖
SiSoftware
內存帶寬測試（分數越高越好）
PCMark04
內存單項測試（分數越高越好）
EVEREST
內存讀取數據測試（分數越高越好）
EVEREST
內存寫入數據測試（分數越高越好）
EVEREST
內存潛伏時間測試（分數越低越好）
由于SPD時序2-2-2-5可以說已經是DDR400（200MHz）的極限參數，因此想要再次提高頻率將是非常困難的事。盡管僅僅提升了10MHz我們仍然需要增加起0.1V電壓，不過對比一下默認200MHz時的成績提升還是比較明顯的。
當我們再次將CPU與內存頻率同步調整成220MHz，SPD時序默認2-2-2-5時遇到了一個困難，即便能開機進入系統(tǒng)但是卻無法通過MemTest測試。我們將BIOS內存電壓調整到3.0V仍然毫無起色，50%之內必定報錯。根據小編使用其它品牌TCCD顆粒的內存來看，3.0V DIMM電壓已經是TCCD顆粒的極限，即使你將DIMM電壓提高到DFI nForce4-DAGF的極限3.2V相信也不會有什么幫助。
我們換了一個思路，將SPD時序調整為2.5-2-2-5，電壓保持3.0V再次開機測試仍然無法通過。再次降低SPD參數為2.5-3-3-5，DIMM電壓同時下降為比較安全的2.8V，開機測試MemTest 300%終于可以一次通過，測試成績如下：
CPU-Z 1.29截圖
CORSAIR內存監(jiān)控軟件截圖
SiSoftware
內存帶寬測試（分數越高越好）
PCMark04
內存單項測試（分數越高越好）
EVEREST
內存讀取數據測試（分數越高越好）
EVEREST
內存寫入數據測試（分數越高越好）
EVEREST
內存潛伏時間測試（分數越低越好）
即便SPD值降低為2.5-3-3-5，不過由于頻率方面的提升，我們可以看到整體測試成績仍然比210MHz 2-2-2-5要好，只有在EVERSET內存潛伏時間測試上有微弱的劣勢。
保持內存電壓2.8V不變，SPD 2.5-3-3-5不變，再次將CPU與內存同步提升10MHz，此時的內存頻率為230MHz。開機測試MemTest 300%可以一次順利通過，測試成績如下：
CPU-Z 1.29截圖
CORSAIR內存監(jiān)控軟件截圖
SiSoftware
內存帶寬測試（分數越高越好）
PCMark04
內存單項測試（分數越高越好）
EVEREST
內存讀取數據測試（分數越高越好）
EVEREST
內存寫入數據測試（分數越高越好）
EVEREST
內存潛伏時間測試（分數越低越好）
可以看到現(xiàn)在的測試成績得到進一步提升，不過回想一下剛才220MHz時SPD 2-2-2-5內存電壓即便加到3.0V都無法通過測試，現(xiàn)在230MHz卻可以在2.8V下穩(wěn)定工作，看來內存參數與內存頻率真是無法兼得啊！
保持內存電壓2.8V不變，SPD 2.5-3-3-5不變，再次將CPU與內存同步提升10MHz，此時的內存頻率為240MHz。開機測試MemTest 300%可以一次順利通過，測試成績如下：
CPU-Z 1.29截圖
CORSAIR內存監(jiān)控軟件截圖
SiSoftware
內存帶寬測試（分數越高越好）
PCMark04
內存單項測試（分數越高越好）
EVEREST
內存讀取數據測試（分數越高越好）
EVEREST
內存寫入數據測試（分數越高越好）
EVEREST
內存潛伏時間測試（分數越低越好）
整體測試成績再次得到提升，其中SiSoftware內存帶寬測試成績終于突破了6000分大關，這樣的成績絕對是那些普通DDR400內存所望塵莫及的。
再次將CPU與內存頻率同步提升10MHz，此時的XMS Xpert內存已經工作在DDR500（250MHz）的標準頻率下了。仍然保持內存電壓2.8V不變，SPD 2.5-3-3-5不變，開機測試MemTest 300%再次順利通過，測試成績如下：
CPU-Z 1.29截圖
CORSAIR內存監(jiān)控軟件截圖
SiSoftware
內存帶寬測試（分數越高越好）
PCMark04
內存單項測試（分數越高越好）
EVEREST
內存讀取數據測試（分數越高越好）
EVEREST
內存寫入數據測試（分數越高越好）
EVEREST
內存潛伏時間測試（分數越低越好）
我們可以看到EVEREST的內存測試中已經將
XMS Xpert內存識別成了PC4000（DDR500），而且測試成績也非常不錯，甚至比我們常見的DDR500還要好。這是因為即便是大多數標稱的DDR500內存其工作時序也不可能穩(wěn)定到2.5-3-3-5來工作，如此可見
XMS Xpert內存的超頻性能還是非常強悍的。
當我們需要再次提升CPU與內存頻率的時候，由于我們手里這顆CPU體質不是很好，需要加電壓才能上更高的外頻。進入主板BIOS將CPU電壓提高0.05，而內存電壓和SPD時序仍然保持2.8V 2.5-3-3-5不變。再次開機測試后，懷著忐忑不安的心情繼續(xù)MemTest 300%竟然還能順利通過……
CPU-Z 1.29截圖
CORSAIR內存監(jiān)控軟件截圖
SiSoftware
內存帶寬測試（分數越高越好）
PCMark04
內存單項測試（分數越高越好）
EVEREST
內存讀取數據測試（分數越高越好）
EVEREST
內存寫入數據測試（分數越高越好）
EVEREST
內存潛伏時間測試（分數越低越好）
在測試成績繼續(xù)彪升的同時，我們也基本可以總結出TCCD顆粒的非常好的工作電壓為2.8V，與另一款超頻顆粒BH5相比，TCCD顆?？梢栽诤馨踩碾妷合戮蛣?chuàng)造出非常不錯的超頻成績。
繼續(xù)我們的超頻之路，將CPU與內存頻率同步提升到270MHz，內存電壓和SPD時序仍然保持2.8V 2.5-3-3-5不變。這次測試MemTest 300%時終于失敗了，雖然可以正常進入系統(tǒng)但是測試時會立刻報錯，小幅加電壓依然無效，看來這次需要我們再次降低SPD時序參數了。
進入BIOS將內存電壓調整成我們認為非常好的的2.8V，SPD參數同時也改變成3-4-4-8，再次測試終于可以通過MemTest 300%了。測試成績如下：
CPU-Z 1.29截圖
CORSAIR內存監(jiān)控軟件截圖
SiSoftware
內存帶寬測試（分數越高越好）
PCMark04
內存單項測試（分數越高越好）
EREST
內存讀取數據測試（分數越高越好）
EVEREST
內存寫入數據測試（分數越高越好）
EVEREST
內存潛伏時間測試（分數越低越好）
看來我們手中的這對
XMS Xpert內存在2.8V電壓下是可以很好工作的，當它的頻率提升到一定高度時勢必要通過降低SPD時序來完成超頻，再次證明了用加電壓的方法對于TCCD顆粒超頻來說是基本無效的。通過測試成績也可以看出，即便是整體性能有所提升，但是在EVEREST寫入測試和潛伏時間兩個單項測試中的成績卻要稍遜于260MHz 2.5-3-3-5時的成績。
在我們超頻280MHz的時候，在開機進入操作系統(tǒng)的時候出現(xiàn)死機，至此我們的超頻測試也告以段落。我們沒有繼續(xù)嘗試對它繼續(xù)進行超頻，此時的測試成績我們已經非常滿意了，再高的前端總線無論對CPU、主板還是內存都是非常嚴峻的考驗。
為了方便大家更直觀的對比內存在每個頻率范圍，不同的SPD時序狀態(tài)下的成績也會有差別，我們將測試結果做出圖表以方便大家查看。
SiSoftware
內存帶寬測試（分數越高越好）
SiSoftware
內存帶寬測試（分數越高越好）
PCMark04
內存單項測試（分數越高越好）
EVEREST
內存讀取數據測試（分數越高越好）
EVEREST
內存寫入數據測試（分數越高越好）
EVEREST
內存潛伏時間測試（分數越低越好）
最后總結：
作為世界優(yōu)異內存制造商，CORSAIR這款XMS Xpert內存讓我們眼前一亮，傳統(tǒng)印象中簡單而又普通的內存也竟然設計得如此BT！當然，XMS Xpert內存不是那些華而不實的東西，它的測試成績足以可以說明一切。默認200MHz可以超頻到270MHz,測試成績比那些DDR500內存表現(xiàn)的還要強悍，況且受平臺方面的影響，我們還不能確定這就是它的終極頻率。
另外，在測試中我們發(fā)現(xiàn)XMS Xpert內存頂部的LED顯示信息非常準確，如果細心的朋友可能會發(fā)現(xiàn)DIMM3和DIMM4的內存溫度不一樣，這是由于CPU散熱器的風道是對著內存的方向吹，而DIMM3內存的收益影響也自然會更大，因此在測試中表現(xiàn)出來的DIMM3內存比DIMM4內存的溫度通常低5度左右還是非常正常的。建議使用此內存的朋友最好能夠增強內存方面的散熱，特別是超頻的時候它的發(fā)熱量還是非常驚人的！
0人已贊
關注我們
