眾人拾柴火焰高 MRAM存儲技術(shù)聯(lián)盟成立
泡泡網(wǎng)內(nèi)存頻道11月25日 20多家日本以及美國企業(yè)已經(jīng)組成MRAM技術(shù)研發(fā)聯(lián)盟，聯(lián)合開發(fā)MRAM技術(shù)，不過按照目前MRAM的發(fā)展進(jìn)程，想要大規(guī)模投入使用MRAM，預(yù)計(jì)還得等到2018年。
以東京電子、信越化工、瑞薩電子、日立以及美光科技在內(nèi)的20多家日本以及美國企業(yè)已經(jīng)組成MRAM技術(shù)研發(fā)聯(lián)盟，聯(lián)合開發(fā)MRAM技術(shù)，預(yù)計(jì)在明年2月份就會啟動相關(guān)的技術(shù)研究項(xiàng)目。
MRAM的全稱是Magnetic Random Access Memory，即磁阻式隨機(jī)存取存儲器，這是一種非易失性存儲器，速度與DRAM不相上下，但功耗更低、容量更大，被視為下一代高速存儲器的理想之選，適合用于固態(tài)硬盤、智能手機(jī)、平板電腦等設(shè)備上。
按照目前MRAM的發(fā)展進(jìn)程，想要大規(guī)模投入使用MRAM，預(yù)計(jì)還得等到2018年，不過現(xiàn)在已經(jīng)陸續(xù)有廠商推出MRAM產(chǎn)品，例如在本月中旬，美國Everspin技術(shù)公司就推出了ST-MRAM芯片，這種芯片存儲速度是普通MLC芯片的500倍，已經(jīng)達(dá)到了DRAM芯片的水平。
Buffalo Memory也在日前推出了SS6系列固態(tài)硬盤，該系列固態(tài)硬盤就配置了Everspin的DDR3 ST-MRAM芯片作為固態(tài)硬盤高速緩存。這種高速緩存采用WBGA封裝設(shè)計(jì)，單顆容量為64Mb（8MB），最高頻率為1600MHz，最高帶寬為3.2GB/s，納秒級延遲，從性能來說已經(jīng)不輸給DRAM芯片，而且由于斷電不丟失數(shù)據(jù)，因此產(chǎn)品無需為緩存電路配置大容量電容或者是高級掉電保護(hù)技術(shù)?！?/P>
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