20nm工藝成熟 三星新內(nèi)存顆粒將量產(chǎn)
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泡泡網(wǎng)內(nèi)存頻道3月12日 三星電子今天宣布，已經(jīng)開始批量生產(chǎn)全世界非常先進的DDR3內(nèi)存顆粒，采用了新的20nm工藝。
在內(nèi)存、閃存工藝上，半導體廠商一般都不公布非常確切的數(shù)字，往往只說20nm級別之類的，并以2x、2y、2z等不同標識代表先進等級。三星這次明確地描述為“20 nanometer process technology”，也就是真正的20nm。
三星表示，DRAM內(nèi)存顆粒的每個單元都包含一個電容、一個晶體管，用于連接其他單元，不像NAND閃存單元那樣只需一個晶體管，所以工藝進步更加困難。為此，三星重新調整了設計和制造技術，用上了改進的雙重曝光、原子層沉積(ALD)，同時結合了已有的沉浸式ArF光刻等先進技術。
三星稱，這一突破為今后向1xnm邁進奠定了堅實的基礎，或許也可以用來更好地制造DDR4。
三星20nm DDR3內(nèi)存顆粒的容量為4Gb(512MB)，生產(chǎn)效率比25nm DDR3高出超過30％，更是3xnm DDR3的兩倍多，同時同等容量的功耗也要比25nm DDR3節(jié)省最多25％。Gartner的調研數(shù)據(jù)顯示，2013年全球DRAM內(nèi)存市場總價值約356億美元，2014年將增至379億美元?！?/P>
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