不甘示弱 三星宣布加速投產(chǎn)DDR4內(nèi)存
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泡泡網(wǎng)內(nèi)存頻道4月11日 這段時間，各大內(nèi)存顆粒、模組廠商都突然活躍起來，紛紛宣揚各自的DDR4產(chǎn)品進展，而作為DRAM行業(yè)領頭羊、第一家量產(chǎn)DDR4的三星電子又怎么能保持沉默？韓國巨頭今天宣布，正在加速投產(chǎn)DDR4內(nèi)存顆粒、內(nèi)存條。
和威剛、美光一樣，三星也特別提到了Intel將在下半年發(fā)布的新一代服務器平臺Haswell-EP Xeon E5-2600 v3，稱自家的DDR4內(nèi)存就是為該平臺準備的。
三星目前已經(jīng)量產(chǎn)的DDR4內(nèi)存都是單Die 4Gb(512MB)的容量，提供x4、x8、x16等不同芯片封裝規(guī)格，單條容量最高32GB，頻率是標準的2133MHz，規(guī)格涵蓋RDIMM、LPDIMM、ECC SODIMM等等。
下一步，三星會逐漸轉(zhuǎn)向單Die 8Gb、單條64GB，2400MHz頻率也已經(jīng)達成。■
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