普及在望！市售超值DDR2內(nèi)存全面搜羅
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● 三星DDR2 533 256MB
該內(nèi)存的顆粒采用了FBGA封裝，全新FBGA封裝方式的DDRII除了可以在頻率上達到更高的速度外，還有著低耗電、低發(fā)熱的顯著優(yōu)點。全新的DDRⅡ內(nèi)存擁有240Pin金手指，不能夠安裝在普通的DDR內(nèi)存插槽上，而且DDRⅡ的工作電壓為1.8V，這樣低的電壓意味著的是更低的發(fā)熱量和更高的頻率提升空間。
內(nèi)存由8顆編號為“K4T56083QF-GCD5”的三星顆粒，為單面設(shè)計。該內(nèi)存符合PC2-4300傳輸標準，運行頻率在533MHz，時鐘周期為3.8ns，容量256MB，CL值等于4。
標明內(nèi)存規(guī)格的標簽上清清楚楚地印著三星的LOGO，經(jīng)銷商也一再聲明，該內(nèi)存是正品三星內(nèi)存，如假包換。盡管經(jīng)銷商的話10句有9句是假的，不過由于DDRII內(nèi)存購買的人數(shù)不多，尚未到普及階段，對造假者來說沒有太大意義，所以大家可以放心購買。感興趣的朋友不妨考慮。
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