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 測試平臺，F(xiàn)X-55+DFI  NF4

 

     測試平臺：

     CPU：AMD FX55

     散熱器：T120

    主板：DFI Lanparty ut NF4 Ultra-D 改SLI(BIOS:720-1)

    顯卡：ATI X800GTO

    硬盤：HITACHI T7K250 160GB SATAII * 4 RAID 0

    系統(tǒng)平臺：WINDOWS XP PRO SP1

 

 

 SuperPI 1M穩(wěn)定測試：DDR600，2.73V，1T，8-4-4-2.5（點擊放大）

 

    默認電壓下的超頻性能非常不錯哦，當然我們并不滿足與這樣的小小成績，讓我們稍稍提高內(nèi)存電壓再來看看，單我們把內(nèi)存電壓提升至2.84V后，再來看看內(nèi)存參數(shù)非常好的化如何：

 

 

 

 SuperPI 1M穩(wěn)定測試：DDR600，2.84V，1T，5-3-3-2.5（點擊放大）

 

    過去，我們在DDR400下當內(nèi)存參數(shù)達到5-3-3-2.5后都開始沾沾自喜，這一次的內(nèi)存測試卻達到了DDR600下，內(nèi)存延遲居然依舊能達到5-3-3-2.5，非常厲害。

 

 

 SuperPI 4M穩(wěn)定測試：DDR600，2.73V，1T，8-4-4-2.5（點擊放大）

 

 

 

 SuperPI 16M穩(wěn)定測試：DDR600，2.73V，1T，8-4-4-2.5（點擊放大）

 

      由于有一些平臺并不是很容易超頻，DDR400 的非常好的化無疑是這是使用者的非常好的選擇。芝奇 FX 系列將提供這類的使用者一個完美的選擇。

 

        TCCD對于電壓的比較敏感，但是并不需要太高的電壓就可以完全進入高效狀態(tài)，在2.8V或者更低電壓下即可達成，幾乎適用于所有的主流主板。目前采用TCCD顆粒的內(nèi)存產(chǎn)品在沒有改造過的主板上可以輕松達到DDR600的水準，可以滿足不同需求的所有用戶的需要。TCCD和BH-5相比在高頻時候的參數(shù)不足可以通過更高的工作頻率來彌補，只是和某些主板的兼容性不是太理想（這一點和BH-5沒的比啊）。目前幾乎所有的內(nèi)存頻寬記錄都是由TCCD創(chuàng)造的，Kingston Hyper X, Corsair XMS, Patriot XBL, Mushkin Level 2, G.Skill, PQI Turbo 以及Adata等采用TCCD顆粒的產(chǎn)品已經(jīng)成為超頻玩家們追捧的對象，當然售價也是高高在上。