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     作為一個DIY，榨干系統(tǒng)的每一分性能才是最終目標(biāo)。內(nèi)存的性能你注意到了嗎？今天我們來教會大家調(diào)整一個參數(shù)，便可以讓你的游戲性能提升，完全免費哦，趕快跟我來。

 

 

     內(nèi)存延遲想必很多朋友都有所了解，自從處理器進入K8時代以后，在內(nèi)存的操作上就多了一個叫1T、2T的設(shè)置，很多讀者詢問這是一個什么樣的參數(shù)？他對我們的平時運用會有影響嗎？

 

      ● 什么是內(nèi)存的1T、2T？(1T/2TCommandRate)

 

    DRAM Command Rate

    這個選項也就是所謂的“1T、2T”，全名“首命令延遲”，一般還被描述為DRAM Command Rate、CMD Rate等。由于DDR內(nèi)存在尋址時，先要進行P-Bank的選擇（通過DIMM上CS片選信號進行），然后才是L-Bank/行激活與列地址的選擇。

 

 

    這個參數(shù)的含義就是指在P-Bank選擇完之后多少時間可以發(fā)出具體的尋址的L-Bank/行激活命令，單位是時鐘周期。顯然，也是越短越好。但當(dāng)隨著主板上內(nèi)存模組的增多，控制芯片組的負(fù)載也隨之增加，過短的命令間隔可能會影響穩(wěn)定性。因此當(dāng)你的內(nèi)存插得很多而出現(xiàn)不太穩(wěn)定的時間，才需要將此參數(shù)調(diào)長。目前的大部分K8主板默認(rèn)參數(shù)都比較保守，采用2T，性能并沒有得到有效發(fā)揮。

（CommandRate、MA1T/2TSelect）當(dāng)內(nèi)存要求傳送、讀取數(shù)據(jù)區(qū)間"尋址內(nèi)存模塊和內(nèi)存芯片的頻率循環(huán)"所需時間。

－1T擁有較少的延遲，較佳的系統(tǒng)內(nèi)存效能。卻較差的兼容性。適合您的DIMM未插滿時。

－2T擁有較久的延遲、差很多的系統(tǒng)內(nèi)存較能。較高的兼容性、穩(wěn)定性。適合您的DIMM已全部插滿時。

     我們建議在內(nèi)存設(shè)定為1T能讓內(nèi)存達(dá)到非常好的效能。