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    單相降壓(Bulk)系統(tǒng)簡(jiǎn)圖如下：

    可以看到一個(gè)高端場(chǎng)效應(yīng)管High side MOSFET(Q1)跟低端場(chǎng)效應(yīng)管Low side MOSFET(Q2)，一個(gè)輸出電感(L)以及一個(gè)輸出電容(C)，這樣構(gòu)成了最簡(jiǎn)單的單相交換式降壓電路。主板上面最基本單項(xiàng)回路構(gòu)成就是一個(gè)電感、一個(gè)電容再加上兩個(gè)MOS管。

    各端點(diǎn)波形如下：

    可以看出單相電路于電感端輸出電壓及波形會(huì)隨著每相ON-OFF交換而變動(dòng)，這時(shí)就需要電容、電感儲(chǔ)能來(lái)于截止時(shí)釋放能量，所以當(dāng)負(fù)載增大時(shí)，便需要更大的電感器以及更多的電容器，以?xún)?chǔ)存更多能量。

    而且為了改善瞬時(shí)響應(yīng)，必須提升交換頻率，但過(guò)度提升交換頻率代表需要使用高速開(kāi)關(guān)組件，然而MOSFET管的高速特性并不優(yōu)異，所以會(huì)導(dǎo)致切換效率的下降，進(jìn)而導(dǎo)致轉(zhuǎn)換效率不佳。

    High side MOSFET必須承受導(dǎo)通時(shí)負(fù)載所需電流，Low side MOSFET于截止時(shí)承受電容電感釋放儲(chǔ)能的能量，為了得到更大輸出時(shí)也需使用更大容量的產(chǎn)品，不僅發(fā)熱量高，成本也增加不少。

    這就是大電流應(yīng)用場(chǎng)合，多相位式設(shè)計(jì)流行的原因。

    下圖為二相降壓系統(tǒng)的簡(jiǎn)圖：

    可以看到兩組單相電路輸出并聯(lián)，但光只是電路并聯(lián)并沒(méi)有用，控制波形也要進(jìn)行相位偏移動(dòng)作，讓兩組電路交互動(dòng)作，波形特性如下：

    由波形看到，兩組電路因?yàn)橄辔黄?，使輸出波形得以重迭，就像一組以?xún)杀额l率運(yùn)作的電路，所以多相電路，可以以較低的交換頻率，各相累加后總交換頻率也可以提高。

通過(guò)以上的分析可以整理出多相式VRM具有以下的優(yōu)點(diǎn)：

1.因?yàn)檩敵鲭娏鞣峙渲粮飨辔唬悦繉?duì)HS/LS MOSFET所承載的電流會(huì)比較小。

2.因?yàn)?/SPAN>MOSFET電流降低，導(dǎo)通時(shí)散發(fā)的熱量變少，且散布到各相區(qū)域，所以熱密度較小，散熱問(wèn)題比較簡(jiǎn)單。

3.流過(guò)每相電感的電流變少，所以可選擇飽和電流以及有效電流較低的產(chǎn)品，降低成本。

4.總漣波電流因?yàn)橄鄶?shù)增加的關(guān)系，每個(gè)相位的漣波電流較低，輸出電容的數(shù)目得以減少。

5.因?yàn)榭傒敵鲱l率 = 單一相位交換頻率 * 相位數(shù)，較高的輸出頻率使得瞬時(shí)響應(yīng)也獲得了改善。

6.因?yàn)楦飨嚯娏鳒p小，每相MOSFET數(shù)目減少，可簡(jiǎn)化MOSFET驅(qū)動(dòng)器驅(qū)動(dòng)能力的問(wèn)題。

然而采用多相位輸出主要難處在于如何去平衡每個(gè)相位的電流，假設(shè)電流平衡做的不好，在大電流輸出的相位將依電流平方的比例產(chǎn)生功率消耗，不僅導(dǎo)致過(guò)熱，并造成VRM效率降低。