845E也能DDR400，七彩虹P4E ProII
去年年中，DDR SDRAM內(nèi)存相對RDRAM低廉的系統(tǒng)成本以及相對于SDRAM突出的性能提升，人們逐漸感受到DDR SDRAM的巨大優(yōu)勢所在，經(jīng)過一年時間的過渡，DDR SDRAM內(nèi)存終于取得了市場的主流地位，當(dāng)然這也是同英特爾后期推出支持DDR SDRAM芯片組是密不可分的。
DDR333與DDR400之爭：
去年矽統(tǒng)的SiS645芯片組首次提供了對DDR333 SDRAM內(nèi)存的支持，而且對于Pentium 4這類對內(nèi)存帶寬渴求度相當(dāng)大的系統(tǒng)來說，普通的DDR266 SDRAM所提供的2.1GB/s的帶寬顯然已經(jīng)不能夠滿足Pentium 4系統(tǒng)的對內(nèi)存的存取速度需要，而對于Athlon XP處理器對于系統(tǒng)內(nèi)存帶寬的要求則并非如此強烈，因此高內(nèi)存帶寬對于提升Pentium 4系統(tǒng)性能來說才顯得尤為重要。
隨著Pentium 4系統(tǒng)平臺逐步全面轉(zhuǎn)向DDR333 SDRAM內(nèi)存的支持，未來一段時間DDR333 SDRAM內(nèi)存會是市場中絕對的主流產(chǎn)品。英特爾將在九月正式推出支持DDR333 SDRAM內(nèi)存的845GE、845PE芯片組，在英特爾強有力支援下，自然下半年DDR333 SDRAM內(nèi)存的銷量將會比上半年大幅度增張，近期三星等內(nèi)存廠商都表示已經(jīng)最好了一切準(zhǔn)備，下半年開足馬力加大DDR333 SDRAM內(nèi)存的產(chǎn)量。DDR333 SDRAM將取代DDR266 SDRAM成為內(nèi)存市場上新的霸主。
從以往我們所進行的測試看，搭配DDR400 SDRAM內(nèi)存的芯片組性能都相當(dāng)好，在測試中幾乎可以同搭配PC800 RDRAM的850芯片組相互匹敵，但可惜的是當(dāng)前還沒有一款芯片組可以很好的支持DDR400 SDRAM內(nèi)存，即使有也只是停留在初期的工程樣板階段。象我們測試過的P4PB 400主板（P4X400芯片組）雖然官方宣布支持DDR400 SDRAM內(nèi)存，但實際上其跑在DDR400模式下時還欠缺穩(wěn)定性和可靠性，而矽統(tǒng)方面則只能在SiS648公板上通過DDR400內(nèi)存測試，而其它大多數(shù)廠商推出的SiS648芯片組主板想要穩(wěn)定運行DDR400內(nèi)存則還比較困難。
但是對于一些DIY超頻發(fā)燒來說，DDR400內(nèi)存絕對是其不二之選，因為內(nèi)存方面完全可以沒有問題的運行在200MHz外頻下（DDR400），不少人可以在超頻時讓內(nèi)存跑在200MHz外頻，甚至更高，系統(tǒng)性能得到了突出的提升。雖然矽統(tǒng)（SiS）以及威盛（VIA）都有支持DDR400 SDRAM內(nèi)存芯片組的計劃，但人們還是將更多的目光放在了未來的DDRII以及雙通道DDR芯片組上，如果你注意到這些廠商的Roadmap，你會發(fā)現(xiàn)，明年上半年將是雙通道DDRII內(nèi)存的天下。
RDRAM盤踞高端：
自從英特爾推出采用533MHz外頻的Pentium 4處理器，北橋與處理器之間的數(shù)據(jù)傳輸帶寬進一步提升到4.2GB/s，因此搭配數(shù)據(jù)帶寬為3.2GB/s的PC800 RDRAM內(nèi)存已經(jīng)不能完全滿足Pentium 4處理器巨大的“胃口”，內(nèi)存又成為提升系統(tǒng)性能的瓶頸。
英特爾五月推出的845E、845G以及850E，都可以支持533MHz前端總線的Pentium 4處理器，似乎850E芯片組支持更快的PC1066 RDRAM也是理所當(dāng)然的事情，但不知處于何種考慮英特爾官方并沒有宣布支持PC1066內(nèi)存，不過在大多數(shù)850E主板中生產(chǎn)廠商則都提供了PC1066內(nèi)存的支持，而且測試中表現(xiàn)也都非常穩(wěn)定，因此它又成為最強的Pentium 4平臺，在高端市場PC1066內(nèi)存與i850E芯片組仍是絕對的統(tǒng)治者。
未來一段時間RDRAM內(nèi)存的發(fā)展方向一是進一步的提高工作頻率，在矽統(tǒng)芯片組的發(fā)展藍圖上看到其用于RDRAM內(nèi)存的SiS658芯片組已經(jīng)可以提供對PC1333 RDRAM的支持；二是引入32bit RIMM4200內(nèi)存，這樣用戶不必為實現(xiàn)雙通道工作模式，而每次都必須插接兩根或四根RDRAM使用。
DDR內(nèi)存的發(fā)展方向：
提高內(nèi)存的有效工作頻率，是在不改變當(dāng)前模塊設(shè)計的前提下提升內(nèi)存帶寬最直接有效的方法，但是受到主板芯片組以及內(nèi)存本身的影響，進一步提升內(nèi)存的工作頻率已經(jīng)相當(dāng)困難，DDR400 SDRAM已是DDR-I內(nèi)存的頂峰之作。但是DDR400 SDRAM內(nèi)存雖然價格上并不昂貴，但是既沒有可與之完好搭配的芯片組支持，也沒有通過JEDEC（聯(lián)合電子工程委員會）的內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)認證，因此DDR400內(nèi)存只是現(xiàn)階段超頻玩家以及追求性能用戶的非常好的選擇，而DDR-II內(nèi)存才是未來DDR SDRAM內(nèi)存的接班人。
根據(jù)JEDEC在不久前制定的DDR-II內(nèi)存的初步規(guī)范，DDR-II內(nèi)存在生產(chǎn)工藝、封裝形式、工作電壓上與DDR-I都不盡相同。首先DDR-II采用了0.13微米工藝生產(chǎn)，封裝也隨之改為FBGA（Fine-pitch Ball Grid Array）形式，同目前內(nèi)存制造廣為使用的TSOPII封裝形式相比，F(xiàn)BGA具有小巧外形的CSP（芯片級封裝）型，同時具有印制線路板小的優(yōu)點，而且信號完整性更佳。
新的生產(chǎn)工藝不但可以保證內(nèi)存穩(wěn)定的運行在較高的頻率下，而且內(nèi)存的工作電壓也由DDR-I所使用的2.5V降低到1.8V。從內(nèi)存廠商ELPIDA公布資料看DDR-II533（運行在266MHz）內(nèi)存的功耗為304mW，而現(xiàn)有的DDR266（運行在133MHz）內(nèi)存的功耗為418mW，工作頻率提高了一倍，而功耗卻降低了27％。
根據(jù)JEDEC的DDR-II規(guī)劃藍圖，DDRII將擁有400MHz、533MHz、667MHz三種速度規(guī)格，分別對應(yīng)200MHz、266MHz、333MHz實際頻率，內(nèi)存帶寬分別達到3.2GB/s、4.2GB/s、5.4GB/s，初期生產(chǎn)的內(nèi)存容量為512M，另外在圖形卡市場，DDR-II內(nèi)存將很快出現(xiàn)在nVIDIA最新的圖形卡NV30上，而其擁有更高的時鐘頻率（800MHz以上），而且位寬更大。
另外，同DDR-I區(qū)別比較大的地方還有DDR-II增加了CAS、OCD、ODT、AL四個中端指令并且擁有4到8路的Burst Length（脈沖寬度）以及4位預(yù)取存取功能。三星等內(nèi)存大廠已經(jīng)生產(chǎn)出512MB的DDR-II SDRAM樣品。最快DDR-II內(nèi)存將最快應(yīng)用在nVIDIA十月推出的NV30圖形卡上，而DDR-II內(nèi)存邁向市場主流，那就是2003年的事了。<
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