從AMD K8L架構(gòu)說起 揭開DDR3神秘面紗
● DDR3內(nèi)存有何具體特點
早在2002年6月28日，JEDEC就宣布開始開發(fā)DDR3內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)，但從目前的情況來看，DDR2才剛開始普及，DDR3標(biāo)準(zhǔn)更是連影也沒見到。不過目前已經(jīng)有眾多廠商拿出了自己的DDR3解決方案，紛紛宣布成功開發(fā)出了DDR3內(nèi)存芯片，從中我們仿佛能感覺到DDR3臨近的腳步。而從已經(jīng)有芯片可以生產(chǎn)出來這一點來看，DDR3的標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計工作也已經(jīng)接近尾聲。
iSuppli預(yù)測內(nèi)存發(fā)展走勢半導(dǎo)體市場調(diào)查機構(gòu)iSuppli預(yù)測DDR3內(nèi)存將會在2008年替代DDR2成為市場上的主流產(chǎn)品，iSuppli認(rèn)為在那個時候DDR3的市場份額將達到55%。不過，就具體的設(shè)計來看，DDR3與DDR2的基礎(chǔ)架構(gòu)并沒有本質(zhì)的不同。從某種角度講，DDR3是為了解決DDR2發(fā)展所面臨的限制而催生的產(chǎn)物。
DDR2 800等效于PC2-6400
由于DDR2的數(shù)據(jù)傳輸頻率發(fā)展到800MHz時，其內(nèi)核工作頻率已經(jīng)達到200MHz，因此再向上提升較為困難，這就需要采用新的技術(shù)來保證速度的可持續(xù)發(fā)展性。另一方面，也是由于速度提高的緣故，內(nèi)存的地址/命令與控制總線需要有全新的拓樸結(jié)構(gòu)，而且業(yè)界也要求內(nèi)存要具有更低的能耗，所以，DDR3要滿足的需求就是：
1、更高的外部數(shù)據(jù)傳輸率
2、更先進的地址/命令與控制總線的拓樸架構(gòu)
3、在保證性能的同時將能耗進一步降低
4、為了滿足上述要求，DDR3在DDR2的基礎(chǔ)上采用了以下新型設(shè)計：
8bit預(yù)取設(shè)計，DDR2為4bit預(yù)取，這樣DRAM內(nèi)核的頻率只有接口頻率的1/8，DDR3-800的核心工作頻率只有100MHz，采用點對點的拓樸架構(gòu)，減輕地址/命令與控制總線的負(fù)擔(dān)。
采用100nm以下的生產(chǎn)工藝，將工作電壓從1.8V降至1.5V，增加異步重置（Reset）與ZQ校準(zhǔn)功能。
下面我們通過DDR3與DDR2的對比，來更好的了解這一未來的DDR SDRAM家族的最新成員。
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