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極限2133MHz！OCZ強(qiáng)悍三通道內(nèi)存測(cè)試

    在穩(wěn)定性測(cè)試中，我們先進(jìn)行MemTest測(cè)試，之后是Prime95混合測(cè)試以及Super-pi 32M測(cè)試，最后再進(jìn)行Sony Vegas Pro 9.0 64-bit和Photoshop CS4 64-bit等應(yīng)用測(cè)試。

應(yīng)用測(cè)試結(jié)果：

    在PCMark Vantage X64測(cè)試中，我們發(fā)現(xiàn)對(duì)內(nèi)存延遲敏感的子項(xiàng)目DDR3-1333 CL=5取得了領(lǐng)先，而在對(duì)內(nèi)存帶寬敏感的子項(xiàng)目中，DDR3-2133 CL=8更占優(yōu)勢(shì)，在生產(chǎn)力測(cè)試中，DDR3-1600 CL=6這種更為平衡的組合表現(xiàn)最好。

    通過我們的超頻測(cè)試，可以發(fā)現(xiàn)，低延時(shí)的DDR3-1600 CL=6模式在總體性能上要略優(yōu)于高帶寬的DDR3-2133 CL=8模式。

一些其它的測(cè)試：

    在游戲及編碼轉(zhuǎn)換測(cè)試中，DDR3-1600 6-7-6-18這種組合再次取得了領(lǐng)先，只有在Super-pi 32M測(cè)試中高頻的DDR3-2133表現(xiàn)最好。

Everest頻寬測(cè)試：

    最后，我們又在EVGA X58 Classified主板上又進(jìn)行了極限頻率測(cè)試，發(fā)現(xiàn)這套OCZ Blade內(nèi)存最高可以穩(wěn)定在DDR3-2154的頻率上，此時(shí)時(shí)序?yàn)?-8-7-24 1N，內(nèi)存電壓為1.73V，核心電壓為1.3625V，VTT電壓為1.425V。此時(shí)Super-pi成績?yōu)?''06.7"，由于我們所采用的Windows 7 64bit并沒有進(jìn)行優(yōu)化，這個(gè)成績并不算高，如果采用精簡版Windows XP SP2并優(yōu)化系統(tǒng)的話，這個(gè)成績可達(dá)到7''45"。

總結(jié)：

    我們有限的測(cè)試并沒有充分發(fā)揮OCZ Blade DDR3-2133內(nèi)存套裝的實(shí)力，而我們也將完善測(cè)試環(huán)境，更好的體現(xiàn)內(nèi)存的實(shí)際能力。通過我們的初步測(cè)試，與Corsair Dominator GT套裝相比，還是有一定差距，不過售價(jià)相對(duì)便宜一些，相信會(huì)對(duì)Corsair Dominator GT產(chǎn)生一定沖擊，相信新一輪的優(yōu)品內(nèi)存巔峰對(duì)決又將上揚(yáng)！<