絕對渲染利器!英特爾32nm六核CPU評測
2007年Intel首次在代號為P1266的45nm工藝中使用上High-K配搭Metal Gate技術，令芯片漏電情況大幅降低，因此Intel 45nm處理器在功耗及發(fā)熱表現(xiàn)上，擁有很高水平，而直至目前為止，也只有Intel把45nm High-K + Metal Gate電晶體技術用于量產之中。由于High-K材料配搭Metal Gate電晶體技術帶來優(yōu)秀表現(xiàn)，Intel 45nm研發(fā)至量產是Intel歷史中最快完成的，所需的研發(fā)時間僅為65nm的一半。
代號為P1268的全新Intel 32nm工藝，主要基于現(xiàn)有的45nm High-K + Meta Gate電晶體技術，并作出了大幅度的改良，包括High-K的等效氧化層厚度，由45nm制程的1nm降低至32nm制程只有0.9nm，并且閘極長度縮少至只有30nm，閘極距離繼續(xù)以每兩年縮少0.7x的目標發(fā)展中，Intel的32nm是現(xiàn)時所有相同制程中其閘極距離最窄小的。
透過了降低High-K的等效氧化層厚度及閘極距離，Intel 32nm的NMOS及PMOS電晶體性能相較上45nm提升14%及22% ，漏電比較上代45nm制程，NMOS電晶體減少超過5x，PMOS電晶體減少漏電超過10x，以上的改善令處理器工程師在電路設計時規(guī)限大幅減少，也令核心可以更小，當然處理器核心頻率及功耗表現(xiàn)也能大幅減少。
Intel 32nm制程同時改用了第四代應變矽技術，用矽鍺、雙應力應變矽以及先進的應變記憶技術，能夠有效提高晶體管的開關速度和電源效率，此一改變將可在運作頻率及功耗表現(xiàn)在獲益重大改善。
關注我們
