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雙通道性能提升30%?5系單雙通道對(duì)比

    泡泡網(wǎng)筆記本頻道4月15日 進(jìn)入到2010年，Intel終于更新了其移動(dòng)平臺(tái)。新平臺(tái)不僅帶來(lái)了最新的Core i處理器，還包括全新架構(gòu)的芯片組。

    一直以來(lái)，Intel新平臺(tái)都以處理器運(yùn)算性能為主要看點(diǎn)，然而2010年新平臺(tái)中的5系列芯片組架構(gòu)改變卻更令人期待。新的架構(gòu)最大特征是將北橋內(nèi)存控制芯片集成于處理器（IMC),并啟用全新的QPI總線技術(shù)，這兩大最新技術(shù)堪稱革命性變化（對(duì)于Intel而言）。

    在南北橋分治及FSB前端總線技術(shù)時(shí)代，采用Intel處理器筆記本最大短板之一是內(nèi)存性能。目前主流DDR3內(nèi)存單通道即可達(dá)到1066MHz，高端產(chǎn)品甚至高達(dá)1600MHz，而移動(dòng)處理器前端總線還徘徊在1066MHz，甚至更低，這讓雙通道技術(shù)幾無(wú)發(fā)揮空間，僅能較小程度改善內(nèi)存性能。

    新的QPI總線技術(shù)改變了之前FSB工作原理，IMC技術(shù)也可以一定程度提高命中率及降低內(nèi)存延遲。目前低端i3 330M的QPI總線已經(jīng)在2GHz以上，而高端i7更是成倍于FSB總線速度。

    從工作原理上來(lái)看，新的QPI技術(shù)遠(yuǎn)遠(yuǎn)優(yōu)于FSB技術(shù)，IMC技術(shù)也有天然優(yōu)勢(shì)，不過(guò)一切都還有待實(shí)際應(yīng)用檢驗(yàn)。本文將針對(duì)這一問(wèn)題進(jìn)行詳細(xì)對(duì)比測(cè)試，以幫助大家了解最新平臺(tái)的特點(diǎn)，并更好的優(yōu)化新平臺(tái)。