新理念/新技術(shù)/低價格!09熱門CPU回顧
2009年CPU關(guān)鍵事件：32nm工藝
2010年初始，全新的32nm工藝降臨，然而Intel并沒有把最新的32nm制作工藝率先用到旗艦級的Core i7上，而是直接運用到主流級的Core i3/i5和奔騰G6950上，讓主流型號成為率先步入32nm的CPU處理器。
制造工藝永遠(yuǎn)是高性能芯片的參照標(biāo)準(zhǔn)之一，在更高的制造工藝下，在相同的單位面積下可以容納下更多的晶體管，而晶體管數(shù)量的增多直接體現(xiàn)在了性能的提升方面。同時由于單位體積的減小，以及新材料的大量應(yīng)用。更為先進(jìn)的工藝制程下制造的芯片產(chǎn)品耗電量以及發(fā)電量也會得到很好的控制，這也是為什么新一代工藝制程的產(chǎn)品會比前一代產(chǎn)品在功耗上有很好表現(xiàn)的原因之一。
32nm工藝已經(jīng)提及多次了，在這里我們還是簡單的再來回顧一下，采用高k+金屬架構(gòu)柵極的45nm制程技術(shù)取得巨大成功之后，英特爾再接再厲推出了采用第二代高k+金屬柵極的32納米制程技術(shù)，目前32nm產(chǎn)品已經(jīng)上市銷售了。
據(jù)Intel英特爾高級院士Mark Bohr透露，32nm制程技術(shù)的基礎(chǔ)是第二代高k+金屬柵極晶體管。英特爾對第一代高k+金屬柵極晶體管進(jìn)行了眾多改進(jìn)。 在45納米制程中，高k電介質(zhì)的等效氧化層厚度為1.0nm。而在32nm制程中，此氧化層的厚度僅為0.9nm，而柵極長度則縮短為30nm。
晶體管的柵極間距每兩年縮小0.7倍——32nm制程采用了業(yè)內(nèi)最緊湊的柵極間距，采用第二代High-K和金屬柵極晶體管技術(shù)，九個金屬銅和Low-K互聯(lián)層，其中的關(guān)鍵層會在Intel歷史上首次應(yīng)用沉浸式光刻技術(shù)，無鉛無鹵素，核心面積可比45nm減小大約70％，在性能方面提高超過22%以上。這些改進(jìn)對于縮小集成電路（IC）尺寸、提高晶體管的性能至關(guān)重要。采用高k+金屬柵極晶體管的32nm制程技術(shù)可以幫助設(shè)計人員同時優(yōu)化電路的尺寸和性能。
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