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性能提升40%!890FX+960T實(shí)戰(zhàn)4核開6核

    與其他一些堆料的主板廠家不同，微星在主板用料上所采取的政策是實(shí)用主義。

    傳統(tǒng)的處理器供電中，由頂部的MOS管、底部MOS管和驅(qū)動(dòng)芯片所組成。因此，許多主板在MOS管上額外增加了散熱片，以降低其工作溫度。為了解決供電相熟越來(lái)越多而導(dǎo)致發(fā)熱越來(lái)越大的問(wèn)題，微星將傳統(tǒng)MOSFET供電中分離的兩組MOS管和驅(qū)動(dòng)IC以更加先進(jìn)的制程整合在一片芯片中，它的加入能夠讓服務(wù)器在工作時(shí)更穩(wěn)定，更節(jié)能。

    三合一封裝的DrMOS面積是分離MOSFET的1/4，功率密度是分離MOSFET的3倍，增加了超電壓和超頻的潛力。應(yīng)用DrMOS的主板能擁有節(jié)能、高效能超頻、低溫等特色。

    在主板的CPU、芯片組以及內(nèi)存供電電路（DC-DC轉(zhuǎn)換電路）中，MOS管是大功率晶閘管，通過(guò)MOS管的電流有幾安培到幾十安培，主板節(jié)能首先就是從MOS管開始，用技術(shù)先進(jìn)的、功耗低的DrMOS芯片取代傳統(tǒng)的MOS管。

    MOS管就是一個(gè)“開關(guān)”，開關(guān)閉合時(shí)允許電流通過(guò)，斷開時(shí)切斷電流。閉合時(shí)由于內(nèi)部電阻，通過(guò)的電流會(huì)消耗無(wú)用功，斷開時(shí)由于晶體管電極間的漏電流也會(huì)消耗無(wú)用功。MOS管的高溫就是由這兩種無(wú)用功耗產(chǎn)生的。

    DrMOS硬件節(jié)能芯片就是采用新技術(shù)新工藝，把新型的MOS和驅(qū)動(dòng)其“開關(guān)”的電路整合在一個(gè)晶片內(nèi)，使其“開關(guān)”切換時(shí)間更短，內(nèi)部電阻和漏電流更低。所以動(dòng)態(tài)響應(yīng)速度快、轉(zhuǎn)換效率高、無(wú)用功耗低、發(fā)熱量小溫度低、面積小功率密度高。采用DrMOS就是從硬件上降低主板的功耗，就是“硬”節(jié)能。