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DDR2-DDR3都有 筆記本內(nèi)存條升級(jí)推薦

    一直處于內(nèi)存市場(chǎng)領(lǐng)先位置的三星,在率先推出了40nm產(chǎn)品之后,又推出了30nm內(nèi)存,產(chǎn)品采用FBGA封裝設(shè)計(jì),256M*8顆的內(nèi)存顆粒組成了2G/1333超強(qiáng)規(guī)格,運(yùn)行電壓1.5V。

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    三星金條SO DDR3 1333/2G內(nèi)存采用多層墨綠色PCB基板設(shè)計(jì),板面工整,布局合理,全部采用三星原廠30納米顆粒,整體做工用料非常出色,蛇形走線布局合理,元件排列有序;金手指方面采用了電鍍金工藝,顏色光亮,即使長(zhǎng)時(shí)間使用也不會(huì)出現(xiàn)氧化現(xiàn)象;金手指與芯片之間分布著數(shù)量眾多的貼片電阻/電容器件,充分保證內(nèi)存的穩(wěn)定運(yùn)行。

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    產(chǎn)品標(biāo)簽上,M471B5773DH0-CH9中的字母D指的就是30納米工藝,而幻影40采用的是40納米工藝,因此對(duì)應(yīng)的字母為F。大家在選購(gòu)的時(shí)候務(wù)必要認(rèn)準(zhǔn)字母D,以免上當(dāng)受騙?!?/P>

三星(SAMSUNG) 2GB DDR3 1333筆記本內(nèi)存(幻影40)
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