存儲(chǔ)要聞周報(bào)：DDR4露頭SATA帶寬翻倍
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在今年二月份的時(shí)候三星就已經(jīng)量產(chǎn)了30nm DRAM顆粒，最后發(fā)布了全球首款單條32GB內(nèi)存，今天三星又發(fā)布了一款新的單條32GB DDR3內(nèi)存，同樣是采用30nm DRAM顆粒，不過(guò)采用了全新的3D TSV(直通硅晶穿孔)封裝技術(shù)，產(chǎn)品相比普通30nm DRAM內(nèi)存功耗低30%。
三星新款的32GB RDIMM（Registered DIMM）內(nèi)存默認(rèn)運(yùn)行頻率為DDR3-1333MHz，借助3D TSV封裝技術(shù)，產(chǎn)品相對(duì)普通30nm的LRDIMM產(chǎn)品功耗平均低約30%，功率只有4.5W，三星表示新的32GB RDIMM是企業(yè)服務(wù)器用內(nèi)存產(chǎn)品中功耗最低的產(chǎn)品。
TSV封裝可以使存儲(chǔ)單元實(shí)現(xiàn)多層堆疊，相對(duì)單層容量可實(shí)現(xiàn)成倍提高，內(nèi)部連接路徑更短，芯片間的傳輸速度更快、噪聲小、性能更好與單層封裝技術(shù)的產(chǎn)品相當(dāng)。三星旗下的高密度TSV封裝RDIMM內(nèi)存產(chǎn)品目前已進(jìn)入試產(chǎn)階段，不久后即可實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。
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