極限快感！最全面的超頻內(nèi)存顆粒搜羅
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本文章的主要目的是讓讀者清楚地了解目前每個廠商的主流DDR芯片的超頻能力和工作時序，幫助不同層次的用戶們找到適合他們的內(nèi)存產(chǎn)品。由于原作者列出的很多內(nèi)存產(chǎn)品或者是顆粒在國內(nèi)很難購買到，筆者在翻譯過程中加入了一些平常在國內(nèi)可以看到的產(chǎn)品，以及筆者在使用這些產(chǎn)品時候的經(jīng)驗，希望能夠以此文給大家最大的幫助。
一. Winbond（華邦）系列
Winbond（華邦）是臺灣著名的內(nèi)存芯片生產(chǎn)商，該公司生產(chǎn)的DDR內(nèi)存顆粒在玩家心目中的地位是其他任何廠商沒辦法取代的，該公司的BH-5內(nèi)存芯片已經(jīng)成為高檔內(nèi)存的代名詞。下面給大家?guī)砣A邦公司的幾款享有盛名的內(nèi)存顆粒。
1．BH-5
BH-5是華邦公司最出名的內(nèi)存顆粒，也可以稱得上到目前位置最出名的內(nèi)存顆粒！這些顆粒以其超強的內(nèi)存參數(shù)而著稱，并且對于電壓相當(dāng)?shù)孛舾校淮蠖鄶?shù)的BH-5顆?？梢怨ぷ髟?-2-2-X的參數(shù)下，當(dāng)然在3.2-3.4V高壓下，部分采用BH-5顆粒的優(yōu)品內(nèi)存甚至工作在280MHZ的頻率，并且仍然維持2-2-2-x這樣的時序。當(dāng)然這樣體質(zhì)的BH-5顆粒還比較少見，對于內(nèi)存的整體要求也相當(dāng)高。如果你的主板不支持2.8V以上的內(nèi)存電壓調(diào)節(jié)，采用BH-5顆粒的內(nèi)存或許不太適合你，但是對于那些狂熱的超頻玩家來說，OCZ的DDR booster可以幫助他們榨干BH-5的所有能量，最高3.9V的電壓可以輕松讓你的BH5達(dá)到DDR500,2-2-2-X以上，當(dāng)然筆者不推薦正常使用中采用這么高的電壓（畢竟大多數(shù)采用BH5顆粒的內(nèi)存默認(rèn)電壓為2.5-2.6V之間）。2003年是BH-5顆粒產(chǎn)量最多的一年，但目前華邦已經(jīng)宣布停產(chǎn)BH-5顆粒，因此現(xiàn)在的市面上新售內(nèi)存中采用BH-5的比例非常少，多數(shù)出現(xiàn)在售價超貴的高端內(nèi)存中，如 Mushkin Black Level ram, Kingston Hyper X, Corsair XMS, TwinMos, Buffalo 以及極少數(shù)低端內(nèi)存產(chǎn)品中；當(dāng)然另外一種尋找BH-5內(nèi)存的方法就是在銷售商的庫存產(chǎn)品中，或二手市場，網(wǎng)友之間的交易來獲得。
2.CH-5
CH-5顆粒是華邦公司繼BH-5以后推出的另外一款試用于DDR400內(nèi)存產(chǎn)品的內(nèi)存芯片，可以稱之為BH-5的縮水版，為什么這樣說呢？因為CH-5超頻后工作參數(shù)一般只能達(dá)到2-3-2-X,頻率在220-230MHZ左右，和BH-5相差甚遠(yuǎn)；并且對于電壓的敏感程度比不上BH-5，高于3V的電壓通常也起不到太明顯的效果，這種現(xiàn)象雖然主要還是內(nèi)存顆粒的本身體質(zhì)來決定的，但是和內(nèi)存廠商的PCB板設(shè)計，用料還是脫不了干系的。不同批次的CH-5顆粒的差別也很大，一些少數(shù)CH-5顆粒同樣可以達(dá)到BH-5所能夠達(dá)到的成績，當(dāng)然幾率非常小。目前華邦仍然在繼續(xù)生產(chǎn)CH-5顆粒，在BH-5停產(chǎn)后，縮水版的CH-5也逐漸被很多高端內(nèi)存所選購，成為新一代的“優(yōu)品”，不少采用CH-5顆粒的內(nèi)存在適當(dāng)?shù)募訅汉罂梢怨ぷ髟?00MHZ 2-2-2-X的模式下，目前Corsair XMS, Kingston Hyper X以及其他幾個高端品牌的內(nèi)存產(chǎn)品的一些型號均采用了CH-5顆粒。
3．BH-6
BH-6作為BH-X系列的6ns版本，同樣具有非常不錯的性能，某些批次的BH-6的超頻性能甚至能夠比得上同門大哥BH-5，大多數(shù)BH-6同樣可以工作在2-2-2-2X的參數(shù)下，并且在3.2-3.4V電壓下可以穩(wěn)定工作在240-250MHz。不過由于華邦在推出BH-6顆粒不久后由于產(chǎn)能不足停止了該型號顆粒的生產(chǎn)，因此相比BH-5顆粒來說BH-6顆粒數(shù)量更為稀少。Mushkin Special 2-2-2, Corsair XMS, Kingston Hyper X, Kingston Value Ram PC2700等型號的內(nèi)存產(chǎn)品上采用了BH-6顆粒。
4.CH-6
CH-6是華邦CH-X系列的6ns版本，雖然大家對這款華邦低端DDR顆粒不是很看好，但是它仍然繼承了華邦系列一貫的優(yōu)秀品質(zhì)。CH-6在大多數(shù)情況下和CH-5很相似，不過不太容易穩(wěn)定在2-2-2-X的時序，和CH-5一樣同樣對于電壓不是很敏感，最高的工作頻率應(yīng)該是220MHz，2-3-2-X的時序。CH-6面對的是性價比比較高的市場，在一些較低端的內(nèi)存產(chǎn)品上比較常見，如Kingston Value Ram,，Corsair Value Ram以及Mushkin Basic系列。
5. UTT
UTT是華邦最新推出的DDR內(nèi)存顆粒，可以說和BH-5顆粒非常相似，無論是能夠達(dá)到的極限頻率以及工作時序，和BH5不同的是UTT顆粒需要稍高的電壓才能做到這些，因此大多數(shù)超頻玩家選擇讓UTT在3.4-3.6V的電壓下工作。UTT在一點上做的要比BH-5顆粒出色，那就是UTT顆粒無論是雙面還是單面分布超頻性能幾乎相同，但BH-5更偏愛單面分布的方式，因此BH-5系列內(nèi)存的最好超頻搭配為2x256MB,但UTT無論是2x256mb或者是2x512MB的搭配都同樣出色，這一優(yōu)勢在1GB內(nèi)存成為主流容量的今天顯得特別重要，512MB的容量在對付主流的3D游戲和軟件應(yīng)用已經(jīng)捉襟見肘。
UTT顆粒在辨認(rèn)上顯得有點困難，你可以通過印刷在顆粒表面的商標(biāo)很容易地辨認(rèn)出上面介紹的華邦其他四款內(nèi)存芯片，但是UTT的顆粒印刷種類比較多，在尋找的時候會帶來不小的難度。UTT常見的顆粒表面印著M.Tec或者Twinmos的商標(biāo)，并且擁有華邦系列內(nèi)存的特征（顆粒正面左右對稱分布2個凹進(jìn)去的小圓圈，內(nèi)存的側(cè)面可以看到兩個短距離的金屬橫片），告訴大家一個小秘訣，一般具備華邦內(nèi)存顆粒特征但是沒有印刷BH-5/CH-5的DDR400顆粒通常就是UTT顆粒了。一但擁有了采用UTT顆粒的內(nèi)存，你會發(fā)現(xiàn)擁有1GB容量并且可以工作在275MHz 2-2-2-X時序的內(nèi)存是多么值得興奮的事。目前你可以在OCZ Gold VX系列 OCZ Value VX系列, TwinMos Speed Premium 系列以及其他多種品牌的低價內(nèi)存上看到它的身影。1GB容量的售價在150美元左右，非常超值。
華邦系列內(nèi)存顆粒的特征－顆粒正面左右對稱分布2個凹進(jìn)去的小圓圈，內(nèi)存的側(cè)面可以看到兩個短距離的金屬橫片
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