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閃存升至20nm OCZ新版Vertex 3.20測(cè)試

    今年隨著數(shù)據(jù)存儲(chǔ)量的增長(zhǎng)與平板電腦和智能手機(jī)功能的增強(qiáng),對(duì)NAND閃存技術(shù)帶來了新的需求,對(duì)縮小其體積和提高其容量的需求尤為強(qiáng)烈。因此也就促使著NAND閃存擁有更高的制程技術(shù)。如今SSD已經(jīng)向20nm過度,芯片產(chǎn)量則可以提高40%,成本大大降低。伴隨而來的不僅是容量提升,也是SSD價(jià)格的下調(diào)。

閃存提至20nm OCZ新版Vertex 3.20測(cè)試

    OCZ新版的Vertex 3.20就是在這個(gè)大環(huán)境下誕生的,性能方面有了提升,但是售價(jià)方面則要比以往都低,性價(jià)比得到了極大的提升,可以看到在各種性能測(cè)試下,尤其是實(shí)際應(yīng)用測(cè)試下,即便相比Vertex 4也不會(huì)遜色多少。

閃存提至20nm OCZ新版Vertex 3.20測(cè)試

    閃存制程的提升是必然的趨勢(shì),為我們帶來SSD整體性能的提升以及價(jià)格的下降,目前隨著各家新主控以及固件的推出,新閃存SSD已經(jīng)推出了很多款,今年勢(shì)必是這一代產(chǎn)品的天下,希望各個(gè)固態(tài)硬盤存儲(chǔ)廠商可以為我們帶來更多更好的產(chǎn)品。■<

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