BH5顆粒又如何?勤茂套裝內(nèi)存超頻測(cè)試
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測(cè)試內(nèi)存是一項(xiàng)要求你耐心和細(xì)心的工作，和我們超頻CPU時(shí)在外頻與倍頻中尋求最好的搭配組合一樣，超頻內(nèi)存則需要你在內(nèi)存頻率及內(nèi)存參數(shù)中反復(fù)測(cè)試來(lái)發(fā)掘它的非常好的性能。
測(cè)試平臺(tái) 在測(cè)試平臺(tái)方面，我們選擇了目前如日中天的nForce4芯片組。特別是DFI這款nForce4-DAGF主板不但內(nèi)存調(diào)節(jié)參數(shù)繁多，而且最高還支持內(nèi)存電壓到3.2V。主板能提供高電壓對(duì)于測(cè)試一款采用華邦BH5顆粒的內(nèi)存是十分重要的。
測(cè)試時(shí)，我們將采用大家所公認(rèn)性能較好的雙通道，同時(shí)開(kāi)“1T”內(nèi)存模式來(lái)考驗(yàn)內(nèi)存的性能。而且在超頻及優(yōu)化內(nèi)存參數(shù)時(shí)一定要通過(guò)MemTest 300%才算通過(guò)，否則將不考核其測(cè)試成績(jī)。
CPU-Z 1.29截圖 CPU-Z 1.29截圖 以上是CPU-Z 1.29的內(nèi)存信息截圖，我們可以看到勤茂1G雙通道套裝內(nèi)存的SPD信息非常完整，兩條內(nèi)存的生產(chǎn)日期均為2005年第9周的產(chǎn)品。默認(rèn)內(nèi)存參數(shù)為200MHz 2.5-3-3-8,還算是比較保守的。
眾所周知，華邦BH5顆粒在將CL值設(shè)置成3時(shí)是不能開(kāi)機(jī)的，于是我們首先測(cè)試了一下這個(gè)最簡(jiǎn)單的項(xiàng)目。呵呵，測(cè)試結(jié)果果然如此。
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第1頁(yè)：BH5顆粒又如何?勤茂套裝內(nèi)存超頻測(cè)試第2頁(yè)：勤茂BH5內(nèi)存再戰(zhàn)江湖第3頁(yè)：測(cè)試平臺(tái)及測(cè)試說(shuō)明第4頁(yè)：200MHz 2.5-3-3-8 2.6V第5頁(yè)：200MHz 2.0-2-2-5 2.8V第6頁(yè)：210MHz 2.5-3-3-8 2.7V第7頁(yè)：220MHz 2.5-3-3-8 2.9V第8頁(yè)：230MHz 2.5-3-3-8 3.1V第9頁(yè)：235MHz 2.0-2-2-5 3.2V第10頁(yè)：圖表數(shù)據(jù)對(duì)比及產(chǎn)品總結(jié)
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