游戲性能提升43％！市售優(yōu)品內(nèi)存實(shí)測(cè)
TCCD對(duì)于電壓的比較敏感，但是并不需要太高的電壓就可以完全進(jìn)入高效狀態(tài)，在2.8V或者更低電壓下即可達(dá)成，幾乎適用于所有的主流主板。目前采用TCCD顆粒的內(nèi)存產(chǎn)品在沒有改造過的主板上可以輕松達(dá)到DDR600的水準(zhǔn)，可以滿足不同需求的所有用戶的需要。TCCD和BH-5相比在高頻時(shí)候的參數(shù)不足可以通過更高的工作頻率來彌補(bǔ)，只是和某些主板的兼容性不是太理想（這一點(diǎn)和BH-5沒的比啊）。目前幾乎所有的內(nèi)存頻寬記錄都是由TCCD創(chuàng)造的，Kingston Hyper X， Corsair XMS， Patriot XBL， Mushkin Level 2， G.Skill， PQI Turbo 以及Adata等采用TCCD顆粒的產(chǎn)品已經(jīng)成為超頻玩家們追捧的對(duì)象，當(dāng)然售價(jià)也是高高在上。
內(nèi)存頻率 | SPD參數(shù) | 內(nèi)存模式 | 內(nèi)存電壓 | |
200HTT | 2.0-2-2-5 | 1T | 2.6V | |
200HTT | 1.5-2-2-5 | 1T | 2.8V | |
225HTT | 1.5-2-2-5 | 1T | 2.8V | |
230HTT | 1.5-2-2-5 | 1T | 3.0V | |
265HTT | 2.5-3-3-7 | 1T | 2.6V | |
300HTT | 2.5-4-3-7 | 1T | 2.6V | |
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超頻成績(jī)GOS產(chǎn)品 –GOS5123200DC (256MBX2) , GOS1GB3200DC(512MBX2)
PC3200 DDR 400 CAS 1.5-2-2-5< PC4700 DDR 600 CAS 2.5-4-4-7 >
* 雙通道512MB(256MBX2)及1GB (512MBX2 )包裝
* GeIL 篩選的TCCD 32mx8 DDR 顆粒制成
* 184pin, Non-ECC, Un-buffered DDR DIMM
* 銅鍍鎳白金條散熱片
* 零售包裝
* 終身保固
* 2.55V-2.85V
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