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游戲性能提升43%!市售優(yōu)品內(nèi)存實(shí)測(cè)

    超頻過(guò)程中,為什么調(diào)校內(nèi)存所花時(shí)間最長(zhǎng)呢?原因就內(nèi)存參數(shù)優(yōu)化。參數(shù)優(yōu)化的歷史可以追溯到SDRAM時(shí)代。在那個(gè)年代,大家追求的只有CL值,CL=2就是當(dāng)時(shí)的參數(shù)優(yōu)化目標(biāo)。到了DDR年代,對(duì)于參數(shù)的描述變成了4個(gè)值,例如:2-2-2-5。但這4個(gè)數(shù)字所代表的含義到底是什么?簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)就是CL-tRCD-tRP-tRAS,這個(gè)縮寫(xiě)的全程和中文名稱(chēng)如下:



1、CL(CAS Latency)

  中文名稱(chēng)為“內(nèi)存讀寫(xiě)操作前列地址控制器的潛伏時(shí)間”,在BIOS中的選項(xiàng)可能為:2、2.5和3。隨著DFI NF4主板的出現(xiàn),還增加了1.5這個(gè)極限選項(xiàng)。這個(gè)參數(shù)很重要,內(nèi)存條銘牌上一般都有推薦參數(shù)。較低的CAS周期能減少內(nèi)存的潛伏周期以提高內(nèi)存的工作效率。因此只要能夠穩(wěn)定運(yùn)行操作系統(tǒng),我們應(yīng)當(dāng)盡量把CAS參數(shù)調(diào)低。反過(guò)來(lái),如果內(nèi)存運(yùn)行不穩(wěn)定,可以將此參數(shù)設(shè)大,以提高穩(wěn)定性。

2、tRCD(RAS-to-CAS Delay)

  中文為“行尋址至列尋址延遲時(shí)間”,一般選項(xiàng)有2、3、4、5,別名有Active to CMD等。對(duì)于延遲時(shí)間,當(dāng)然是數(shù)值越小,性能越好。
  
3、tRP(RAS Precharge Time)

  “內(nèi)存行地址控制器預(yù)充電時(shí)間”一般只有2、3、4三個(gè)選項(xiàng)。這個(gè)參數(shù)的名稱(chēng)也比較多,一般有RAS Precharge、Precharge to active幾種。tRP值越低,預(yù)充電參數(shù)越小,則內(nèi)存讀寫(xiě)速度就越快。

4、tRAS(RAS Active Time)

“內(nèi)存行有效至預(yù)充電的最短周期”nForce系列主板對(duì)它的調(diào)節(jié)幅度最大,從1到15都可選擇。別名也是最多的: Active to Precharge Delay、Row Active Time、Precharge Wait State、Row Active Delay、Row Precharge Delay、RAS Active Time等等。調(diào)整這個(gè)參數(shù)需要結(jié)合具體情況而定,推薦參數(shù)選項(xiàng)有5,6或者7這3個(gè)。大多數(shù)情況還要結(jié)合主板和CPU情況,并不是說(shuō)越大或越小就越好。

 
  進(jìn)入了64位時(shí)代,內(nèi)存參數(shù)調(diào)節(jié)又多了一個(gè)選項(xiàng)――Command Rate。
這個(gè)選項(xiàng)就是K8平臺(tái)超頻時(shí)所稱(chēng)的“1T、2T”,全名“首命令延遲”,一般還被描述為DRAM Command Rate、CMD Rate等。
 
    由于DDR內(nèi)存在尋址時(shí),先要進(jìn)行P-Bank的選擇(通過(guò)DIMM上CS片選信號(hào)進(jìn)行),然后才是L-Bank/行激活與列地址的選擇。這個(gè)參數(shù)的含義就是指在P-Bank選擇完之后多少時(shí)間可以發(fā)出具體的尋址的L-Bank/行激活命令,單位是時(shí)鐘周期。
 
    顯然,也是越短越好。但當(dāng)隨著主板上內(nèi)存模組的增多,控制芯片組的負(fù)載也隨之增加,過(guò)短的命令間隔可能會(huì)影響穩(wěn)定性。因此當(dāng)你的內(nèi)存插得很多而出現(xiàn)不太穩(wěn)定的時(shí)間,才需要將此參數(shù)調(diào)長(zhǎng)。目前的大部分K8主板默認(rèn)參數(shù)都比較保守,采用2T。
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