游戲性能提升43%!市售優(yōu)品內(nèi)存實(shí)測(cè)
1、CL(CAS Latency)
中文名稱(chēng)為“內(nèi)存讀寫(xiě)操作前列地址控制器的潛伏時(shí)間”,在BIOS中的選項(xiàng)可能為:2、2.5和3。隨著DFI NF4主板的出現(xiàn),還增加了1.5這個(gè)極限選項(xiàng)。這個(gè)參數(shù)很重要,內(nèi)存條銘牌上一般都有推薦參數(shù)。較低的CAS周期能減少內(nèi)存的潛伏周期以提高內(nèi)存的工作效率。因此只要能夠穩(wěn)定運(yùn)行操作系統(tǒng),我們應(yīng)當(dāng)盡量把CAS參數(shù)調(diào)低。反過(guò)來(lái),如果內(nèi)存運(yùn)行不穩(wěn)定,可以將此參數(shù)設(shè)大,以提高穩(wěn)定性。
2、tRCD(RAS-to-CAS Delay)
中文為“行尋址至列尋址延遲時(shí)間”,一般選項(xiàng)有2、3、4、5,別名有Active to CMD等。對(duì)于延遲時(shí)間,當(dāng)然是數(shù)值越小,性能越好。
3、tRP(RAS Precharge Time)
“內(nèi)存行地址控制器預(yù)充電時(shí)間”一般只有2、3、4三個(gè)選項(xiàng)。這個(gè)參數(shù)的名稱(chēng)也比較多,一般有RAS Precharge、Precharge to active幾種。tRP值越低,預(yù)充電參數(shù)越小,則內(nèi)存讀寫(xiě)速度就越快。
4、tRAS(RAS Active Time)
“內(nèi)存行有效至預(yù)充電的最短周期”nForce系列主板對(duì)它的調(diào)節(jié)幅度最大,從1到15都可選擇。別名也是最多的: Active to Precharge Delay、Row Active Time、Precharge Wait State、Row Active Delay、Row Precharge Delay、RAS Active Time等等。調(diào)整這個(gè)參數(shù)需要結(jié)合具體情況而定,推薦參數(shù)選項(xiàng)有5,6或者7這3個(gè)。大多數(shù)情況還要結(jié)合主板和CPU情況,并不是說(shuō)越大或越小就越好。
這個(gè)選項(xiàng)就是K8平臺(tái)超頻時(shí)所稱(chēng)的“1T、2T”,全名“首命令延遲”,一般還被描述為DRAM Command Rate、CMD Rate等。
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