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封住Intel的嘴 RXC410輕松超頻至3.5G

    DDR2是今年僅次于PCIE轉(zhuǎn)型風(fēng)暴的第二大技術(shù)革命,此次有著Intel聯(lián)合眾DRAM模組廠(chǎng)商的支持讓DDR2內(nèi)存的底價(jià)在短短半年內(nèi)被數(shù)次刷新,目前它的售價(jià)比DDR SDRAM還低,已經(jīng)具備了挑戰(zhàn)DDR SDRAM的時(shí)機(jī)和條件。

JEDEC

    DDR2是由JEDEC(Joint Electron Device Engineering Council,電子元件工業(yè)聯(lián)合會(huì))定義的全新一代內(nèi)存技術(shù)規(guī)范標(biāo)準(zhǔn)。其實(shí)DDR2內(nèi)存條仍然屬于DDR內(nèi)存范疇,也就是在一個(gè)周期內(nèi),內(nèi)存條能夠完成兩次數(shù)據(jù)傳送工作。

    而目前市面上銷(xiāo)售的DDR2內(nèi)存條起始頻率比DDR內(nèi)存最高標(biāo)準(zhǔn)頻率還要高,達(dá)到533MHz,而最高DDR2內(nèi)存頻率目前市面可以銷(xiāo)售的達(dá)到667MHz,而667MHz DDR2價(jià)格平均比DDR2 533內(nèi)存條價(jià)格高出25%。DDR2內(nèi)存條命名規(guī)則延續(xù)了DDR內(nèi)存的規(guī)范DDR2 533內(nèi)存條,在識(shí)別軟件中表示為PC2-4300而DDR2 667則表示為PC2-5300。分別表示內(nèi)存條擁有4.3GB/s和5.3GB/s的超高數(shù)據(jù)帶寬。

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    作為DDR內(nèi)存新一代技術(shù)革新的產(chǎn)物,DDR2內(nèi)存條工作電壓為1.8V,采用240pin DIMM接口。DDR2內(nèi)存顆粒,具備4bit預(yù)讀取能力,而其前身DDR內(nèi)存顆粒,僅具備2bit預(yù)讀取能力,因此,DDR2內(nèi)存顆粒理論性能是DDR內(nèi)存顆粒的兩倍。采用FBGA封裝的DDR2內(nèi)存顆粒,擁有非常高的運(yùn)行頻率,更低的功耗和發(fā)熱量。

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    DDR2內(nèi)存條,采用了新的模式。不同于DDR內(nèi)存,DDR2內(nèi)存核心頻率和有效時(shí)鐘頻率已經(jīng)不一樣了。因?yàn)閾碛?bit預(yù)讀取能力的DDR2內(nèi)存條能將CPU傳輸過(guò)來(lái)的數(shù)據(jù)進(jìn)行重新排序,成倍發(fā)送出去。如DDR內(nèi)存,擁有2bit數(shù)據(jù)預(yù)讀取能力,則它能將CPU傳輸過(guò)來(lái)的數(shù)據(jù)重新排序,同時(shí)發(fā)送兩倍的數(shù)據(jù)給其他設(shè)備,所以其數(shù)據(jù)傳輸速率是核心工作頻率的兩倍。

    而DDR2的內(nèi)存,擁有4bit數(shù)據(jù)預(yù)讀取能力,所以數(shù)據(jù)傳輸率是核心工作頻率的4倍。也就是說(shuō),DDR2內(nèi)存條,核心工作頻率能夠更低,但是工作效率卻會(huì)更高。DDR2 533核心頻率與DDR266內(nèi)存條一樣,但是性能卻是DDR266內(nèi)存條的4倍。

 

DDR2 SDRAM

DDR SDRAM

頻率

400/533 (667/800)MHz

200/266/333/400 MHz

封裝

FBGA

TSOP and FBGA

電壓

1.8V

2.5V

容量

256 Mbit -4Gbit

64 Mbit -1Gbit

Internal Banks

4 and 8

4

Preftch (MIN Write Burst)

2

2

Cas Latency (CL)

34,5

2,2.5,3

Additive Latency (AL)

01,2,3,4

NO Support

Read Latency

CL+AL

CL

Write Latency

Read Latency -1

1

On-Chip Bus Termination

Embedded

None

Burst Lengths

48

2,48

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