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DIY玩家進(jìn)階寶典 三星內(nèi)存顆粒全攻略

測試標(biāo)題DIY玩家進(jìn)階寶典 三星內(nèi)存顆粒全攻略
2006年06月21日 00:07作者：郭闖編輯：郭闖
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● 三星DDR2系列內(nèi)存芯片：

    DDR2時代，三星全面進(jìn)入到GC和ZC(G為FBGA封裝方式，Y為FBGA-LF)系列，另外還有SC和YC，并采用90nm生產(chǎn)工藝，使相同晶元可以生產(chǎn)出更多的顆粒，從而降低了成本。YC是外形最小的一種封裝方式，性能表現(xiàn)也最好，現(xiàn)在市面上很少見到。

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    GCCC是目前最常見的三星DDR2內(nèi)存顆粒，多用于DDR2-400產(chǎn)品，目前已經(jīng)基本被淘汰。
 
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    使用三星ZCD5顆粒的三星金條DDR2-533內(nèi)存在不加電壓超頻情況下，能夠以4-4-4-X的時序穩(wěn)定工作在DDR2-667模式，超頻能力非常強(qiáng)悍。
 
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    當(dāng)前主流的三星金條DDR2-667，采用ZCE6顆粒，默認(rèn)CL值為4。通過提升電壓的手段，運(yùn)行頻率可以達(dá)到750MHz，甚至更高。
 
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    ZEC7顆粒，用于當(dāng)前三星最高端的金條DDR2-800，也被多數(shù)其它內(nèi)存品牌所采用。
 
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    整體來看，目前較常見到的三星DDR2內(nèi)存顆粒有有GCCC(多用于DDR2-400)、GCD5/ZCD5(多用于DDR2-533)、GCD6/ZCE6(多用于DDR2-667)、GCF7/ZCE7(多用于DDR2-800)等；這些內(nèi)存顆粒在超頻方面同樣有著不容小視的實力，且仍保持低延遲風(fēng)格。不過經(jīng)過編號更改后(由SAMSUNG改為SEC)，默認(rèn)時序參數(shù)已設(shè)定得較為保守，不過某些DDR2-533默認(rèn)延遲仍設(shè)定在4-4-4-10上。
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