剪不斷理還亂!DDR1-3和GDDR1-5全解析
● GDDR——顯存和內(nèi)存正式分家
GDDR作為第一代專用的顯存芯片,其實(shí)在技術(shù)方面與DDR沒(méi)有任何區(qū)別,同樣采用了2bit預(yù)取技術(shù),理論頻率GDDR并不比DDR高多少。不過(guò)后期改進(jìn)工藝的GDDR有了優(yōu)秀PCB的顯卡支持之后,GDDR顯存最高沖刺至900MHz,而DDR內(nèi)存只能達(dá)到600MHz左右,顯存和內(nèi)存的差距從此逐漸拉開(kāi)。
- TSOP封裝的GDDR 16bit:
8M×16Bit 4.0ns TSOP II封裝的GDDR,單顆16MB,理論頻率500MHz
當(dāng)年9550、FX5700等128Bit中端卡需要搭配8顆才能組成128Bit
TSOP封裝的GDDR顆粒,外觀規(guī)格特性都與DDR內(nèi)存顆粒沒(méi)有什么區(qū)別,所以在很多人看來(lái)“GDDR”與“DDR”是可以“劃等號(hào)”的。其實(shí)兩者還是有些差別:
- GDDR采用4K循環(huán)32ms的刷新周期,而DDR采用8K循環(huán)64ms的刷新周期;
- GDDR為了追求頻率在延遲方面放的更寬一些,畢竟GPU對(duì)延遲不太敏感;
- GDDR顆粒的容量小、位寬大,一般是8×16Bit(16MB)的規(guī)格,而DDR顆粒的容量大、位寬小,雖然也有16Bit的顆粒,但最常見(jiàn)的還是8Bit和4Bit,單顆容量32MB或64MB。
為了實(shí)現(xiàn)更大的位寬,并進(jìn)一步提升GDDR的性能,后期很多廠商改用了電氣性能更好的MBGA封裝,當(dāng)然也有內(nèi)存顆粒使用MBGA封裝,但規(guī)格已有了較大差異,主要是顆粒位寬不同。
- MBGA封裝的GDDR 32bit:
4M×32Bit 2.2ns MBGA封裝的GDDR,單顆16MB,理論頻率900MHz
8顆組成128MB 256Bit規(guī)格,是GDDR1最后的輝煌
MBGA封裝GDDR的單顆位寬首次達(dá)到了32Bit,從此就標(biāo)志著GDDR與DDR正式分道揚(yáng)鑣,32Bit的規(guī)格被GDDR2/3/4/5一直沿用至今。
GDDR顯存的這兩種封裝:MBGA與TSOP構(gòu)成的高低配,曾一度一統(tǒng)顯卡市場(chǎng)。雖然GDDR已經(jīng)退出歷史舞臺(tái),但32Bit主攻中高端、16Bit主攻低端的局面,時(shí)至今日依然得到了延續(xù)。
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