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輕薄與性能的兩全之道：VAIO Z面面觀

　　內(nèi)存規(guī)格的提升是迅馳2亮點之一，Z19即采用了最新的DDR3內(nèi)存。新一代內(nèi)存性能更強，功耗更低，不過由于DDR3內(nèi)存延遲時間較長，抵消了一些頻率優(yōu)勢。

Z19采用DDR3內(nèi)存

　　在內(nèi)存帶寬測試中，Z19內(nèi)存帶寬為5624MB/S，對比其他DDR2內(nèi)存并沒有大的優(yōu)勢，推測原因是由于T9600 FSB為1066MHz，雙通道DDR2已經(jīng)可以完全發(fā)揮FSB帶寬性能，Penryn處理器使得DDR3性能得不到施展。這也是當(dāng)前迅馳2仍然主要采用DDR2內(nèi)存的原因之一。

Z19內(nèi)存性能測試

　　內(nèi)存延遲測試中，采用DDR3憑借高頻率特性僅為101ns，相對DDR2具有一些優(yōu)勢。不過DDR3內(nèi)存無論是突發(fā)傳輸周期時間，還是尋址時序時間，都要大于DDR2內(nèi)存，如果不能充分發(fā)揮頻率優(yōu)勢，將無法體現(xiàn)DDR3性能。

Z19內(nèi)存性能測試

Z19內(nèi)存性能測試

　　在實際數(shù)據(jù)傳輸測試中，DDR3內(nèi)存?zhèn)鬏斔俣葹?9.572GB/S，同DDR2內(nèi)存沒有差異，相反，速率還要低于T9500搭配DDR2的表現(xiàn)。這一測試結(jié)果可以告訴消費者，在InteFSB架構(gòu)下，花高價選擇DDR3，收益并不好。