低電壓優(yōu)劣分析 1.35V DDR3-1600測試
根據(jù)JEDEC的規(guī)范標準，通過提升硅晶圓芯片制造工藝而降低核心IO電壓以提升性能的DDR3內(nèi)存模組，會推出稱作為DDR3L的低電壓版本內(nèi)存規(guī)范，新標準規(guī)定電壓為1.35V，比較當前的1.5V標準還要低，這將會在絕大多數(shù)主流產(chǎn)品中節(jié)能20%。更低的電壓意味著工藝更加成熟、功耗更低，甚至超頻性能也會比普通內(nèi)存要更加出色。
1.35V DDR3內(nèi)存
新低電壓內(nèi)存將會和當前現(xiàn)存的1.5V版本DDR3內(nèi)存相互兼容，但前者并不會受到原有規(guī)范的制約，所有基于JEDEC規(guī)范的DDR3內(nèi)存模組都會配備SPD（serial presence detect）芯片，該芯片EEPROM存儲于SMbus之上，其中包括內(nèi)存模組將提供給系統(tǒng)的容量以及模組特征信息，包括電壓，因此系統(tǒng)就能夠借此固件信息兼容支持最新的DDR3L內(nèi)存模組。同時模內(nèi)標簽也做了相應變動：面向普通PC的常規(guī)產(chǎn)品是“PC3L”，面向嵌入式產(chǎn)品的則是“EP3L”。
來自AMD公司的JC-42.3內(nèi)存發(fā)展委員會主席Joe Macri表示，全新的低電壓內(nèi)存標準和整個業(yè)界有關于低功耗節(jié)能設計準則相吻合，為內(nèi)存技術推進發(fā)展委員會還會繼續(xù)就此方面進行論證和研究，未來不排除推出1.25V甚至更低電壓的內(nèi)存產(chǎn)品，而電腦系統(tǒng)的研發(fā)人員也會就此考慮采用更低能耗設計標準的產(chǎn)品。
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