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22nm新紀(jì)元 Intel第三代酷睿首發(fā)評(píng)測

    IvyBridge的最大變化莫過于制造工藝,這一次Intel使用了非常先進(jìn)的22納米工藝和革命性的3D晶體管技術(shù),這是目前人類的最高科技水平,改變了過去幾年中使用的半導(dǎo)體制造技術(shù),在新技術(shù)下制造的芯片將擁有更小的體積、更低的功耗和更強(qiáng)的性能,也使得半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)著名的摩爾定律得以延續(xù)。

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    Intel每兩年進(jìn)行制程的更新,而5年左右才會(huì)進(jìn)行一次制造方式的大變革。而這一次的22納米3D晶體管就是這樣一次重大變革。

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    簡單的來說,3D晶體管將傳統(tǒng)的2D晶體管中平面柵極替換為垂直暑期的3D硅鰭狀物,而電流控制是通過3D鰭狀物中的柵極實(shí)現(xiàn),這樣就讓的晶體管開啟閉合狀態(tài)有了更多的可控制選項(xiàng),當(dāng)更多晶體管處于開啟狀態(tài)時(shí),就會(huì)有更多電流通過,從而實(shí)現(xiàn)更高性能,而當(dāng)更多晶體管處于閉合狀態(tài)時(shí),則會(huì)讓功耗更低,并且根據(jù)負(fù)載和空閑狀態(tài)的不同需求,兩種狀態(tài)的切換將更加迅速。

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    此外,3D晶體管技術(shù)可以讓晶體管之間的排列更加緊密,是的單位體積下的晶體管數(shù)量大增。結(jié)合以上幾點(diǎn),以32納米2D晶體管為參照,使用22納米3D晶體管技術(shù)在低電壓下可以提高37%的性能,而在達(dá)到相同性能時(shí),耗電量僅為50%。

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IvyBridge正是運(yùn)用了22納米制程&3D晶體管技術(shù)的首個(gè)產(chǎn)品

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